光伏设备国产化现状.pptVIP

通过在10多家客户进行Wafer Demo ，各项工艺指标均能够很好地匹配生产线工艺 (1)设备制约因素：资金、高端人才、设备商上游供应链、上下游产业结合不足 设备制约因素：资金、高端人才、设备商上游供应链、上下游产业结合不足 设备商的专业化程度提高。 太阳能电池设备评测中心 射频检测分析实验室 形貌扫描电子显微镜 膜厚测量仪 颗粒检测仪 线条扫描电子显微镜 千级工艺开发间 万级半导体设备组装间 为国产高端装备的开发提供了有力支撑 研发平台 天津服务中心 上海服务中心 北京服务中心 北京本部 美国办事处 日本办事处 以客户为中心，设备在哪里使用，服务就在哪里提供 建立了标准的服务流程及完善的服务体系 服务能力 光伏产业链及其设备 国产光伏设备的优势及不足 北方微电子开发平板PECVD设备的机遇 ESSINDTM PECVD设备的竞争优势 优异的工艺性能 高效的生产能力 先进的颗粒控制技术 前瞻性的功能扩展设计 完善的可靠性设计 先进的工艺控制软件 ESSINDTM PECVD设备的竞争优势 ESSINDTM PECVD设备的竞争优势 　 沉积速率 折射率 均值 31.6nm/min 2.000 片间均匀性 2.78% 0.22% 片内均匀性 0.8～1.9% 0.06～0.79% 片间最大值 32.6 2.004 片间最小值 30.8 1.995 测试条件： a）4寸抛光片；b）距离wafer单边10mm；c）5点/片； d）均匀性计算方法（最大值-最小值）/（最大值+最小值） Wafer 测试点 Wafer 摆放 优异的工艺性能– 成膜均匀性 片内均匀性 ESSINDTM PECVD设备的竞争优势 片内、片间均匀性满足生产线要求 重复性 = = 2.56% 3% (设备重复性指标) 最大值-最小值 最大值+最小值 重复性 = = 0.29% 1% (设备重复性指标) 最大值-最小值 最大值+最小值 沉积厚度（抛光片） 折射率（抛光片） 优异的工艺性能– 成膜均匀性 ESSINDTM PECVD设备的竞争优势 批间均匀性满足生产线要求 7.00 74.27 81.27 点2 6.89 6.78 74.79 81.57 点1 客户D 6.98 104.12 111.10 点2 6.96 6.94 104.13 111.07 点1 客户C 9.74 87.24 96.98 点2 9.82 9.89 86.96 96.85 点1 客户B 9.83 99.26 109.09 点2 9.90 9.97 99.09 109.06 点1 客户A 5.05 104.09 109.14 点2 5.08 5.10 103.96 109.06 点1 NMC 平均腐蚀速率 速率 腐蚀后 腐蚀前 位置　 厂家　 ESSINDTM PECVD 制备的膜层更致密 优异的工艺性能– 致密性 主流平板式PECVD 主流管式PECVD ESSINDTM PECVD设备的竞争优势 测试条件：10%HF，60S，10片均值 FTIR比较： 6.46% 3302 1.58E+21 2186 5.81E+21 796 1.07E+23 客户B(主流平板式) 7.83% 3350 3.03E+21 2183 6.06E+21 823 1.07E+23 客户C(主流管式) 8.06% 3311 1.01E+21 2188 8.46E+21 796 1.08E+23 客户A(主流平板式) 8.34% 3186 3.81E+21 2181 5.47E+21 807 1.02E+23 NMC %H N-H position （cm-1） N-H stretch N-H键含量 Si-H position（cm-1） Si-H stretch Si-H键含量 Si-N position （cm-1） Si-N stretch Si-N键含量 　 Si-N键、 Si-H键含量和主流设备相当； N-H键含量比主流设备稍高，具有更好的体钝化效果； 测试条件：双面N型抛光片 优异的工艺性能–微观性质研究 ESSINDTM PECVD设备的竞争优势 注：键密度数量级E+21 Si-H含量比关于工艺压力和气体比例的趋势变化图 NH3:SiH4 N-H含量比关于工艺压力和气体比例的趋势变化图 NH3:SiH4 Si-H含量比关于工艺温度和功率的趋势变化图 N-H含量比关于工艺温度和功率的趋势变化图 Total-H含量关于工艺压力和气体比例的趋势变化图 NH3:SiH