CMOS模拟3.ppt

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2017-05-26 发布于湖北
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CMOS模拟3要点

§1-1 双极型集成电路工艺(典型的PN结隔离工艺)(P1~5) 思考题 1.1.1 工艺流程(三极管和一个电阻） 1.1.1 工艺流程（续1） 1.1.1 工艺流程（续2） 1.1.1 工艺流程（续3） 1.1.1 工艺流程（续4） 1.1.1 工艺流程（续5） 1.1.1 工艺流程（续6） 1.1.2 光刻掩膜版汇总 1.1.3 外延层电极的引出 1.1.4 埋层的作用 1.1.5 隔离的实现 1.1.6 其它双极型集成电路工艺简介 1.1.7 习题 §1.2 MOS集成电路工艺（N阱硅栅CMOS工艺）(P9~11)参考P阱硅栅CMOS工艺思考题 1.2.1 主要工艺流程 1.衬底准备 1.2.1 主要工艺流程 2. 氧化、光刻N-阱(nwell) 1.2.1 主要工艺流程 3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 1.2.1 主要工艺流程 4. 长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active) 1.2.1 主要工艺流程 5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） 1.2.1 主要工艺流程6. 栅氧化,淀积多晶硅，多晶硅N+掺杂，反刻多晶（polysilicon—poly) 1.2.1 主要工艺流程 7. P+ active注入（Pplus）（硅栅自对准） 1.2.1 主要工艺流程 8. N+ active注入（Nplus —Pplus反版）（硅栅自对准） 1.2.1 主要工艺流程 9. 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流 1.2.1 主要工艺流程 10. 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1) 1.2.1 主要工艺流程 11. 绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via) 1.2.1 主要工艺流程 12. 蒸镀金属2，反刻金属2（metal2) 1.2.1 主要工艺流程13. 钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad) 1.2.2 光刻掩膜版简图汇总 1.2.3 局部氧化的作用 1.2.4 硅栅自对准的作用 1.2.5 MOS管衬底电极的引出 1.2.6 其它MOS工艺简介 1.2.7 习题 §1.3 BI CMOS工艺简介 1.3.1以CMOS工艺为基础的BI-MOS工艺 1.3.2以双极型工艺为基础的BI-MOS工艺 §1-1 双极型集成电路工艺(典型的PN结隔离工艺)(P1~5) 思考题 1.1.1 工艺流程 1.1.1 工艺流程（续1） 1.1.1 工艺流程（续2） 1.1.1 工艺流程（续3） 1.1.1 工艺流程（续4） 1.1.1 工艺流程（续5） 1.1.1 工艺流程（续6） 1.1.2 光刻掩膜版汇总 1.1.3 外延层电极的引出 1.1.4 埋层的作用 1.1.5 隔离的实现 1.1.6 其它双极型集成电路工艺简介 1.1.7 习题 §1.2 MOS集成电路工艺（N阱硅栅CMOS工艺）(P9~11)参考P阱硅栅CMOS工艺思考题 1.2.1 主要工艺流程 1.衬底准备 1.2.1 主要工艺流程 2. 氧化、光刻N-阱(nwell) 1.2.1 主要工艺流程 3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 1.2.1 主要工艺流程 4. 长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版) 1.2.1 主要工艺流程 5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） 1.2.1 主要工艺流程6. 栅氧化,淀积多晶硅，多晶硅N+掺杂，反刻多晶（polysilicon—poly) 1.2.1 主要工艺流程 7. P+ active注入（Pplus）（硅栅自对准） 1.2.1 主要工艺流程 8. N+ active注入（Nplus —Pplus反版）（硅栅自对准） 1.2.1 主要工艺流程 9. 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流 1.2.1 主要工艺流程 10. 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1) 1.2.1 主要工艺流程 11. 绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via) 1.2.1 主要工艺流程 12. 蒸镀金属2，反刻金属2（metal2) 1.2.1 主要工艺流程13. 钝化层淀