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高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响_王俊
57 7 2008 7 Vol.57, No.7, July, 2008
1000-3290 2008 57(07) 4492-05 ACTA PHYSICA SINICA c2008 Chin.Phys.Soc.
MOS
1)2)3) 1)2)3) 3) 3) 3) 3) 3)
王 俊 王 磊 董业民 邹 欣 邵 丽 李文军 杨华岳
1)(, 200050)
2)(, 100049)
3)(, 201203)
(2007 1027;2007 12 28 )
0.15μm CMOS 30 V MOS (double diffused drain MOS,
DDDMOS).DDDMOS -(I -V ).TCAD DDDMOS
b g
, MOS ;
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.DDDMOS ,
.
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PACC:7340 , 6120J
[ 1]
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1.引 言 MOS , DDDMOS -
.TCAD
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[2—5]
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MOS (double diffused drain MOS, NPN ,
DDDMOS).DDDMOS (snap back).
MOS , - 、TCAD
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MOS.DDDMOS , .
(lateral double-diffused MOS, LDMOS, ,
) ,
, .DDDMOS
[6— 8]
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DDDMOS 、 , ,
. .
MOS , -(I -
b ,
.E-mail:wangjun2101@
7 :MOS 4493
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