第1章-清华大学半导体物理与器件.pdfVIP

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2017-05-27 发布于浙江
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第1章-清华大学半导体物理与器件.pdf

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第1章-清华大学半导体物理与器件

半导体物理与器件 Semiconductor Physics and Devices 邓宁 2008.2 1 答疑每周一次。时间待定。作业（20% ）周一交作业。注重对概念的理解。课堂练习和讨论 2次。考试期中考试第9周，期末考试在17周。成绩评定作业20% ，期中考试40 ％，期末考试40%。 3 课本: 1. “半导体物理学” 顾祖毅、田立林、富力文，电子工业出版社 2. ‘Fundamentals of semiconductor devices’ Betty Lise Anderson Richard L. Anderson 中译本，清华大学出版社参考书： ‘Fundamentals of semiconductor devices’ Betty Lise Anderson Richard L. Anderson 中译本，清华大学出版社 4 1、一个硅n+n结，n+区的掺杂浓度为 N D 1 5 ×1018 cm−3 , N 1014 cm−3 n区的掺杂浓度为 D 2 。求接触电势差。 2、电子具有波粒二象性，为什么我们在分析半导体器件时可以把电子当作粒子来考虑？ 5 引言 • 微电子学的知识体系和本课程的结构 • 什么是半导体器件？ • 本课程的特点和学习方法 • 主要内容和学时安排 • 微电子技术发展的历史回顾 6 微电子的知识体系量子力学固体物理统计力学半导体物理半导体器件半导体新型器器件模型电路与工艺件与验证系统 Process New device Technology R D CAD IC Design 7 本课程的知识结构 Quantum mec