EM技术员培训教材I.ppt

EMI镀膜 主要分类有两大种类： 蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜，具体则包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，溶胶凝胶法等等 蒸发镀膜 一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程（散点－岛状结构-迷走结构-层状生长）形成薄膜。 厚度均匀性主要取决于： 1、基片材料与靶材的晶格匹配程度 2、基片表面温度 3、蒸发功率，速率 4、真空度 5、镀膜时间，厚度大小。 组分均匀性： 蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，但是由于原理所限，对于非单一组分镀膜，蒸发镀膜的组分均匀性不好。 晶向均匀性： 1、晶格匹配度 2、基片温度 3、蒸发速率  溅射类镀膜 利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜 濺 鍍 原 理 8.若氬氣持續通入，則電漿持 續產生。 鍍膜參數介紹 氣體壓力 製程氣體通量 鍍膜功率 鍍膜時間 使用靶數 T/S(Target/Substrate)距離 氣 體 壓 力 (一) 壓力低 →腔體內部氣體粒子少 →撞擊靶材的Ar+變少 壓力高 →腔體內部氣體粒子多→Ar+變多 →Ar+到達靶材前碰撞其他粒子機率變大 →靶原子到達基板前與氣體碰撞的機率變大 氣 體 壓 力 (二) 常用的濺鍍壓力10-3 ~ 10-2 Torr (1~10m Torr) 製 程 氣 體 通 量 1.通入太少 →無法維持電漿 2.通入太多 →未參與碰撞之Ar變成殘餘氣體 →增加pump之負荷 →與靶原子一起沉積在基板上的 機率變大 3.須視鍍膜壓力來設定通入量 鍍 膜 功 率 功率 - 時間 - 靶數之關係 鍍膜厚度的直接影响參數 可利用功率×時間×靶數之乘積變換不同參數鍍相同膜厚 ，例如： 8KW × 2S × 3靶 ＝ 8KW × 3S × 2靶 低功率時，鍍膜速率與功率非呈線性，例如： 8KW × 2S × 3靶＞4KW × 4S × 3靶＞2KW × 8S × 3靶 T / S 距 離 1.靶材到基板距離 2.T/S短可增加鍍膜率,但基板受熱亦增加 3.T/S太長,則沉積的靶原子與其他粒子碰撞機率增大 →鍍膜速率降低 →基板受熱降低 EMI生产工艺流程 治具设计及成型的要求 对素材要求 检验条件 1．检验应在40Wx2日光灯下1．2m距离内，目视距离为20-30cm，目测产品表面时间在8-10秒钟。 2．检验员视线与产品表面角度在45度至90度范围内旋转。 THE END! 祝各位工作愉快! * * Ar 基板 Pump 抽真空 靶材(Ni) 電極 Ar+ Ar Ar Ar Ar Ar 1.真空中通入氬氣(Ar)，含有 微量的氬離子(Ar+) 。 電源供應器 2.於電極板加負高壓電。 3.帶正電的氬離子 (Ar+) 被負 高壓電吸引。 Al e- 4.Ar+撞擊靶材產生電子(e-) 及轟擊出镍原子(Nl) 。 Ar+ e- e- 5.e-撞擊Ar→ Ar++ e- + e-。 Al 6.鋁原子沉積在素材基板上。 7.Ar+重複 3.~ 6. 。 Ar 低真空鍍膜 Al Al Ar+ Ar+ Ar+ Al Ar 高真空鍍膜 Ar+ Al Al Al Ar+ ? 粗略真空 中度真空 高真空 超高真空 壓力(Torr) 760 ~ 1 1 ~ 10-3 10-3 ~ 10-7 ＜ 10-7 平均自由徑λ (cm) ＜ 10-2 10-2 ~ 10 10 ~ 105 ＞ 105 1.高功率 →單一離子所擊出的靶原子較多 →可縮短鍍膜時間 →瞬間產生的熱較多 2.低功率 →單一離子所擊出的靶原子較少 →會延長鍍膜時間 →鍍膜溫度較低 1.EMI治具要求，密封严实，所有需遮镀位置配合尺度为0对0，以免造成产品多镀，飞油。 2.EMI治具死角位置设计要求有倒角，防止因角度过小镀膜层过薄而导致电阻偏高 。 3.成型原料要求为一次性PC水口料，因蒸渡时，炉内温度约为300oC,要求具有一定耐高温性，避免变形，保证治具量产中品质，严禁有拉膜治具流入，残留胶丝/毛边须修整平齐、不允许有变形及明显的缩水现象、水口位须修剪平整,不可高于水口平台、治具表面上不允许有油污。 4.所有治具设计外观面不得出