第三十九章FLASH模拟EEPROM实验战舰STM32开发板.pdfVIP

ALIENTEK 战舰STM32开发板 第三十九章 FLASH 模拟EEPROM 实验 STM32 本身没有自带EEPROM ，但是STM32 具有IAP （在应用编程）功能，所以我们可 以把它的FLASH 当成EEPROM 来使用。本章，我们将利用STM32 内部的FLASH 来实现第二 十八章类似的效果，不过这次我们是将数据直接存放在STM32 内部，而不是存放在W25Q64 。 本章分为如下几个部分： 39.1 STM32 FLASH 简介 39.2 硬件设计 39.3 软件设计 39.4 下载验证 509 ALIENTEK 战舰STM32开发板 39.1 STM32 FLASH 简介 不同型号的STM32，其FLASH 容量也有所不同，最小的只有16K 字节，最大的则达到了 1024K 字节。战舰STM32 开发板选择的STM32F103ZET6 的FLASH 容量为512K 字节，属于 大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），大容量产品的闪存模块组织如图39.1.1 所示： 图39.1.1 大容量产品闪存模块组织 STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3 部分组成。 主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const 类型的数据）。对于大容量产品，其 被划分为256 页，每页2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有1K 字节。从上图可以 看出主存储器的起始地址就是0 B0、B1 都接GND 的时候，就是从0 开始运行代码的。 信息块，该部分分为2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序， 用于串口下载代码，当B0 接V3.3 ，B1 接GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字 节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，本章不作介绍。 闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。 对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电 压由内部产生。 在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正 确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。 闪存的读取 内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何32 位数据的读操作都能访问闪存模块的 内容并得到相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个AHB 接口与CPU 衔 接。这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取CPU 要求的指令块，预取指令块仅用 510 ALIENTEK 战舰STM32开发板 于在I-Code 总线上的取指操作，数据常量是通过D-Code 总线访问的。这两条总线的访问目标 是相同的闪存模块，访问D-Code 将比预取指令优先级高。 这里要特别留意一个闪存等待时间，因为 CPU 运行速度比 FLASH 快得多，STM32F103 的FLASH 最快访问速度≤24Mhz ，如果CPU 频率超过这个速度，那么必须加入等待时间，比 如我们一般使用72Mhz 的主频，那么FLASH 等待周期就必须设置为2，该设置通过FLASH_ACR 寄存器设置。 例如，我们要从地址 addr，读取一个半字（半字为 16 为，字为32 位），可以通过如下的 语句读取： data=*(vu16*)addr; 将addr 强制转换为vu16 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了addr 地址的值。 类似的，将上面的vu16 该位vu8 ，即可读取指定地址的一个字节。相对FLASH 读取来说，STM32 FLASH 的写就复杂一点了，下面我们介绍STM32 闪存的编程和擦除。 闪存的编程和擦除 STM32 的闪存编程是由FPEC （闪存编程和擦除控制器）模块处理的，这个模块包含7 个 32 位寄存器，他们分别是：  FPEC 键寄存器(FLASH_KEYR)  选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)  闪存控制寄存器(FLASH_CR)  闪存状态寄存器(FLASH_SR) 