暑期电子员征题模电数电部分––郭宗莲.docVIP

1、PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是______。 A、具有放大特性 B、具有单向导电性 C、具有改变电压特性 D、具有增强内电场特性 答案 B 2、用模拟式万用表测量小功率晶体二极管特性的好坏时，应使用的欧姆档是______。 A、 R×100Ω或R×1KB 、R×1Ω C、 R×10K D、 那个档都可以A 3、稳压二极管构成的稳压电路，其接法是______。 A、稳压二极管与负载电阻串联 B、稳压二极管与负载电阻并联，再与限流电阻串联 C、限流电阻与稳压二极管串联后，与负载电阻并联 D、限流电阻与负载电阻串联后，再与稳压二极管并联 答案 B 4、无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是______。 A、发射结正向偏置，集电结反向偏置 B、发射结反向偏置，集电结正向偏置 C、发射结正向偏置，集电结正向偏置 D、发射结反向偏置，集电结反向偏置 答案 A 5、在NPN型三极管构成的共发射极放大电路中，如果基极偏置电流IB太大，将会产生非线性______，如果基极偏置电流IB太小，将会产生非线性______。 A、饱和失真／截止失真 B、截止失真／饱和失真 C、饱和失真／饱和失真 D、截止失真／截止失真 答案 A 6、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则o和i的相位A、同相B、反相C、相差90度不确定B 7、场效应管本质上是一个______。 A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件 答案 C 8、如下图所示的电路符号代表______管。 A、耗尽型PMOS B、耗尽型NMOS C、增强型PMOS D、增强型NMOS 答案 D 9、场效应管的转移特性曲线反映的是______之间的关系。 A、 uDS与iDB、uBE与iBC、uCE与iCGS与iDD 10、欲将输入电压信号线性放大-100倍，应选用______。 A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、反相加法运算电路 D、同相加法运算电路 答案 A 11、由集成运算放大器构成线性反相比例运算电路时，为了减小运算误差，则在反相端输入电压信号时，其同相端应______。 A、通过平衡电容接地 B、输入与反相端相同的电压信号 C、通过平衡电阻接地 D、输入与反相端相反的电压信号 答案 C 12、如图由集成运算放大器构成的运算电路，R1=2kΩ，R2=R1∥Rf。当uI=2V时，uO=-4V，那么Rf应为______。 A、1 kΩ B、2 kΩ C、3 kΩ D、4 kΩ 答案 D 13、集成运输入端并接个正反向二极管作用是。 A、提高B、过载保护C、输入电压保护电源电压保护C 14、如图由集成运算放大器构成的运算电路，uO与uI之间的关系表达式为uO=______uI。 A、 B、 C、 D、 答案 C 15、同相比例运算电路的重要特点是。A、虚断虚地B、虚断、虚短C、虚短虚地虚断、虚短虚地B 16、在同相和反相比例运算电路中，比例电路的反相输入端为虚地点；比例运算电路中运放的两个输入端对地电压基本上等于输入电压。A、同相同相B、同相反相C、反相同相反相反相 A、+15V B、-15V C、+7．5V D、-7．5V 答案 C 18、如图由集成运算放大器构成的运算电路，经测量发现uO=uI，这是因为______。 A、R1断路 B、R2断路 C、Rf断路 D、R2两端短路 答案 A 19、集成运算电压跟随器应是A、1 B、0 C、-1 D、∞ 答案 A 20、欲将一正弦波电压叠加在一个直流电压上，应选用______。 A、反向比例运算电路 B、同向比例运算电路 C、加法运算电路 D、减法运算电路 答案 C 21、如图由运算放大器构成的运算电路，Rf=2kΩ，R3= R1∥R2∥Rf。为使时，那么R1及R2各为______kΩ。 A、1,2 B、2,1 C、2,4 D、4,2 答案 A 22、______运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零。 A、反向比例运算电路 B、同向比例运算电路 C、反向加法运算电路 D、同向加法运算电路 答案 D 23、______运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2，b大于零、a小于零。 A、反相相B、同相相C、减法运算电路，X1经电阻接反相输入端，X2经电阻分压接同相输入端 D、减法运算电路，X2经电阻接反相输入端，X1经电阻分压接同相输入端 答案 C 24、减法运算电路分析方法正确的是______。 A、同相端输入电压减去反相端输入电压 B、反相端输入电压减去同相端输入电压 C、运用线性叠加原理，对每一输入分别求出响应，再相加得出总响应 D、以上方法均不正确 答案 C 25、如图由运算放大器构成的运算电路，R1=R2