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强磁场对非线性光学晶体ZnGeP_2生长及性能的影响

第37卷 第 1期 上 海 金 属 Vo1.37,No.1 2015年 1月 SHANGHAIMETALS JanualT,2015 33 强磁场对非线性光学晶体 ZnGeP2生长及性能的影响 周 艳 张礼峰 胡治宁 任维丽 钟云波 任忠鸣 (上海大学上海市现代冶金与材料制备重点实验室,上海 200072) 【摘要】 按化学计量比并富P2%配料,通过改进的单温区合成法合成出高纯、单相的 ZnGeP 多晶原料,在无磁场、6T匀强磁场和上、下梯度磁场条件下,使用坩埚下降法成功生长 出ZnGeP,单晶。研究表 明,施加 6T匀强磁场和上、下梯度磁场后,ZnGeP,晶体依次沿(116)、 (112)和(220)取向,与无磁场下晶体取 向不同;ZnGeP,晶体成分沿纵 向方向在强磁场 中比无 磁场中波动明显;红外透过率在匀强和上梯度磁场中均有明显提高,下梯度磁场中变化不明显; 电阻率在匀强和上梯度磁场中有所下降,而下梯度磁场中则有所升高。 【关键词】 强磁场 ZnGeP: 非线性 晶体生长 EFFECT oF HIGH MAGNETIC FIELD oN CRYSTAL GRoW TH AND PRoPERTIESoF NoNLINEAR OPTICAL CRYSTAL ZnGeP2 ZhouYan ZhangLi~ng HuZhining RenWeili ZhongYunbo RenZhongming (ShanghaiKeyLaboratoryofModernMetallurgyMaterialProcessing, ShanghaiUniversity,Shanghai200072,China) 【Abstract】 High—purityandsingle—phaseZnGeP2polycrystalwassynthesizedbyZn,Geand redPelements(99.999%)accordingtothestoichiometryofZnGeP2withanexcessof2%Pthrough amodified single—temperature zonemethod.TheZnGeP2single crystalswere grown byBridgman methodinthesteadymagneticfieldaswellasupperandlowergradientmagneticfield.Theresults showedthattheapplicationofmagneticfieldalteredthegrowthdirectionofZnGeP2crystalby(116), (112)and(220).ThelongitudinalcompositionofZnGeP2singlecrystalalsochangedobviously underthemagneticfield.Theinfrared transmittanceincreasedunderthesteadyanduppergradient magneticfield and decreased under the lowergradientmagnetic field. The electricalresistivity descendedunderthe steady anduppergradientmagnetic fieldwhile itincreased underthe lower gradientmagneticfield. 【Key Words】 HighMagneticField,ZnGeP2,Nonlinear,CrystalGrowth ZnGeP:晶体是具有黄铜矿结构的半导体化合 m) 、较高的非线性系数 (d。=75pm/V)、良 物,属42m点群,品格常数 a=b

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