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2017-05-13 发布于广东
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第3章 MOS晶体管模型与 CMOS模拟电路基础(1) 电信学院微电子学系程军 jcheng@mail.xjtu.edu.cn 2009-4-7 1 主要内容 MOS晶体管模型 MOS器件结构阈值电压 MOS晶体管大信号特性 MOS器件寄生电容 MOS晶体管小信号模型 CMOS模拟电路基本模块单级CMOS放大器运算放大器微电子学系 2 3.1.1 MOSFET 晶体管结构微电子学系 3 NMOS and PMOS with n-well 图3.2 （a ）简单PMOS器件（b ）n阱中的PMOS 微电子学系 4 MOS Symbols MOS符号微电子学系 5 增强型NMOS 微电子学系 6 3.1.2 阈值电压(MOS Channel Formation) (a) 由栅压控制的MOSFET ；(b)耗尽区的形成；(c)反型的开始；(d)反型层的形成（由源区提供电子） QB Qss ΦMS栅与衬底的功函数差的电压值， V =Φ + 2Φ + − TH MS F Φ 是费米势，Q 耗尽区电荷，Q 是界 C C F B SS ox ox 面处的等效正电荷。微电子学系 7 PFET反型层的形成微电子学系 8 3.1.3 NMOS的大信号特性(I/V Characteristics) y (a)源和漏等电压时的沟道电荷; (b)源和漏不等电压时的沟道电荷微电子学系 9 加偏置电压后的 NMOS器件微电子学系 10 Derivation of I/V Characteristics v W 1秒内载流子的运动图像 I Qd ⋅ v (Qd为y方向的单位