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共溅射制备WxSi-x/Si多层膜应力的实验研究.pdf

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共溅射制备WxSi-x/Si多层膜应力的实验研究

学兔兔 第 37卷 第 4期 光 学 仪 器 V ol . 37,No .4 2015年 8 月 O P T IC A L IN S T R U M E N T S A ugu st , 2015 文章编号:1005-5630(2015)04-0367-04 共 溅 射 制 备 W X S 11 - / S 1 多 层 膜 应 力 的 实 验 研 究 冀 斌 S 张 一 志 S 朱 京 涛 S 吴 文 娟 2 (1.同济大学物理科学与工程学院,上 海 200092; 2.上海应用技术学院理学院201418 摘要:采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为27. 5 n m 的 W / S i 多层膜,使用实时应力测量 装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力,采用 W 、S i 共 溅 射 技 术 制 备 莫 层 替 换 W 膜层,制备出W S 1 —J S i 多层膜,与 W /S i 多层膜的应力特性进行了比较研究。结果表 明,W /S i 多层膜为较大的压应力,测量值为一476. 86 M P a , W S ^i /S i 周期多层膜为较小的压 应力,测量值为一102. 84 M P a 。因此采用共溅射制备W S i 1—。代替W 可以显著改善多层膜的应 力特性。 关键词:应力;多层膜;共溅射;磁控溅射;X 射线 中图分类号:O 484. 1 文献标志码:A d o i : 10.3969/.丨33江 1005-5630.2015.04. 018 Stress analysss of W., ;Sii-x/Si multilayer prepared by co-deposited magnetron sputtering J I B in 1,ZHANG Y izhi 1,ZH U Jingtao1,WU Wenjuan 2 ( 1. School of P hysics Science and E n g in e e rin g ,T o n g ji U n iv e rs ity ,S h a n g h a i 2 0 0 0 9 2 ,China 2. C ollege o f sciences,Shanghai In s titu te o f Tech n olo gy,S h an g ha i 2 0 1 4 1 8 ,C hina) A b strac : W /S i m u ltila y e r film w ith periodic o

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