不同稀土氧化物添加对氧化锌压敏电阻瓷性能的影响.pdf

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科技资讯 2012 NO.21 SCIENCE TECHNOLOGY INFORMATION 工 业 技 术 不同稀土氧化物添加对氧化锌压敏电阻瓷性能的影响① 代礼彬 张谊 梁烛 张瑜 ( 贵州正业工程技术投资有限公司 贵州贵阳 5 5 0 0 0 5 ) 摘 要:分别采用La O 、Sm O 、CeO 、Y O 掺杂改性氧化锌压敏电阻,研究了不同稀土氧化物对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影 2 3 2 3 2 2 3 响。结果表明,在摩尔比例相同的情况下,并在烧结温度为1160 ℃左右烧结成瓷,制备的氧化锌压敏电阻陶瓷具有不同的电性能,其中以 3 Y O 掺杂改性的阀片性能最佳,其电位梯度达到348v/mm,漏电流为2 μA,非线性系数为39,能量吸收密度为284J/cm ,性能优于其他稀 2 3 土氧化物掺杂改性,更优于传统阀片。 关键词:Zn O 压敏电阻 稀土掺杂 电性能 中图分类号:TQ 174 .6 文献标识码:A 文章编号: 16 72 -3 7 9 1(2 0 12 ) 0 7 (c) -00 74 -0 3 Differ ent r ar e earth oxides addition on zin c oxide v ari st or cer amic p r op ert ies Dai Libin Zhang yi Liang Zhu Zhang Yu (Guizhou Zhengye Engineering Investment Corporation Limited,Guiyang 550005) Ab stract :Using the La O , Sm O , CeO , Y O modified by doped zinc oxide varistor,Study of different rare earth oxide on zinc oxide 2 3 2 3 2 2 3 varistor microstructure and electric prop erties of impact ..The result s show that,in the case of the same molar ratio,and the sintering temperature of 1160 ℃ sintering ceramic, preparing zinc oxide varistor ceramic with different electrical properties,of which Y O doped 2 3 and modified valve performance best, it s p oten

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