用三支路法分析电容型绝缘的tgδ回升问题.pdfVIP

维普资讯 1996年第 4期 ·25 · 用三 支 路 渣 分析 电容 型 绝缘 的 tg5回升 问题 刘炳尧 湖‘南大学，长沙410082) TM2{口、l3 ^ ——— —一 ‘ 、摘要：提出能区分篼缘电导掼耗和极化掼耗的三支路法，从理论和实际两方面研究了多层串联绝 缘的舟质损耗率正切 ·推导了绝缘的综台t 表达武t并对实际产品lg变化廪固和回井现象进行 了讨 盹 串联 叙词：串联√电客、缘介质损苎耗角正切v_{十算 ．．电电7755吾争{ ， 一 ／一 ， ————一 —— ，． 一 应该指 出，产 品的 谵6值反 映的是绝 缘损 、 概述 耗的综合效应，只有在绝缘均匀 的条件下，培6 介质损耗是油授 电气设备绝缘 的重要电气 才能代表绝缘 中各个部分 的介质损耗率正切 。 性能，损耗偏大将导致绝缘热击 穿而发生爆 炸 如果产 品绝缘存在着损耗较大 的局部绝 缘缺 事故，因而引起人们的高度重视 ． 陷，其综合 的 lg6通常是不 能反映出来 的。例 在研究绝缘的损耗时常用简化的并联 电路 如，某种电容型互感器在 出厂时介质损耗率较 或串联 电路来讨论，图 l给出了简化的并联 电 小，存放运行一段时间后，t 值上 升，甚 至超 路及其矢量 图． 出规定值，此称 培 回升现象。引起 t 回升的 由图 lb可 以看 出，电气设备绝缘 的介质损 因素很多，本文仅从理论上 阐明绝缘 中局部地 耗功率可表 示为 ： 区 (特别是 内层)含水量过高是 引起 tg6回升 p-=UIcos中= ∞C谊 (1) 的主要原 因，供制造者参考 ． 而介质损耗率正切为： 对于 由多个串联 电容组成的电容型绝缘来 L 1 说，不能用图 l所示的简化电路来讨论，也不宜 tg 芒 () 使用 多层 电阻 电容 c相 串联 的电路来分 对某一具体设备而言，P和t昌6成正比。故 6 析 。本文用三支路j去分析。可 以得到较满意 的 的太小能表怔绝缘在能量损耗方 面 的性能，是 结果． 交流电气设备绝缘品质的重要指标．例如电容 二 单层 缘三支路等效电路 型电流互感器产 品，在室温 2o℃及在设备 最 高电压下，l10kV级的 tg ≤0．6％，220kV级的 在研究电气设备具有单一绝缘的介质损耗 t ≤0．5％ ． 时，为得到内涵丰富的tg5综合表达式，可采用 单层绝缘三支路等效 电路 ，如 图2所示 ． ， 图中 G与电气设备绝缘 的几何尺寸，绝缘 结构及快速 电子式极化和离子式极化有关，而与