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2017-05-09 发布于广东
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化学气相沉积(CV D) 过程: SiO2 将Si暴露在蒸汽中= 生长均匀的绝缘层… 或金属薄膜层：高真空, 单元素… … CV D: 有毒, 腐蚀性气体流过真空阀, T升至1000°C, 发生很多联合反应, 气体动力学, 阻塞层… 是谁的思想? 除 Mon ., Sept . 15, 20 03 1 了栅氧化层和Al层,多晶硅上的所有层都由CVD沉积反应器四个反应室 (类似于Si 的氧 ) 控制模件控制T, 混合气体, 压力, 流率 Mon ., Sept . 15, 2 003 3 CVD 是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层集成电材料的工艺: e .g . SiH (g) Si (s) + 2H (g) 4 2 不想Si在衬底上成核 ( 匀成核), 但是可以在衬底表面成核 (异相成核) . Mon ., Sep t . 15, 200 3 3 移走反应的副产物学反应: 已分解的所需物质粘附在衬底上高温分解: 在衬底上热分解更多的信息过程表面扩散 4 Mon ., Sep t . 15 , 2003 气体输运 J D DC 1 g l 1 L 努森常数 NK L 粘滞