2010电子工艺技术基础期末试题(A)剖析.docVIP

《电子技术工艺基础》考试试题 （考试时间：60分钟，满分100分） 学号__________ 姓名__________ 班级___________ 评分__________ 一、填空题（每空1分，共30分） 6、一个片式电感器的表面标注着2N5的字样表示该电感的电感量为_________。 8、一个片式电阻器的表面标注着103的字样表示该电阻的阻值为_________欧姆 11、电烙铁的握法如图 13、直热式电烙铁的分为 内 热式、 外 热式。 10、半导体二极管按其所使用的材料可分为 硅 管和 锗 管两类。 11、硅管的导通压降约为 0.7 V，锗管的导通压降约为 0.2 V。 13、半导体二极管实质上就是一个 PN 结，它具有的特性是 单向 导电性。 14、半导体三极管分为 NPN 型和 PNP 型两类。 15、半导体三极管的结构分为三个极，分别是 发射 极、 基 极、 集电 极。 2、电容器的国际单位是 法/法拉（F） ，其中1F= 1012 PF，电阻器的国际单位是 欧姆（Ω） ，其中1MΩ= 103 KΩ，电感器的国际单位是 亨（H） ，其中1mH= 10-3 H 4、在电阻器的读数中，当色环电阻的金色作为误差色环时，其代表的误差数值是 ±10% 。 6、一个片式电阻器的表面标注着103的字样表示该电阻的阻值为 10000 欧姆。 1、电阻器的标识方法有 直标 法、 文字符号 法、 色标 法 和 数码表示 法。 2、集成电路最常用的封装材料有 塑料 、 陶瓷 、 金属 三种，其中使用最多的封装形式是 塑料 封装。 3、半导体二极管又叫晶体二极管，是由一个PN结构成，它具有 单向导电 性。 4、1F＝ 106 uF= 109 nF= 1012 pF 1MΩ＝ 103 KΩ= 106 Ω 7、电阻器通常称为电阻，在电路中起 分压 、 分流 和 限流 等作用，是一种应用非常广泛的电子元件。 8、电阻值在规定范围内可连续调节的电阻器称为 可变电阻器（电位器） 。 11、电阻器的主要技术参数有 标称阻值 、 允许偏差 、 额定功率 、 温度系数 。 12、光电耦合器是以 光 为媒介，用来传输 电 信号，能实现“电-光-电”的转换。 15、电容器在电子电路中起到 耦合 、 滤波 、 隔直流 和调谐等作用。 16、电容器的主要技术参数有 标称容量 、 额定电压 、 绝缘电阻 、 允许偏差 、 温度系数 。 17、常见的电烙铁有 外热式 、 内热式 、 恒温 等几种。 21、波峰焊的工艺流程为__焊前准备 、 涂敷焊剂 、 预热 、 波峰焊接 、 冷却 、 清洗 。 24、安全用电包括 供电系统 安全、 用电设备 安全及 人身 安全三个方面，它们是密切相关的。 26、在日常生活中，任何两个不同材质的物体接触后再分离，即可产生静电，而产生静电的最普通方式，就是 感应 和 磨擦 起电。 28、在防静电工作中，防静电的三大基本方法是： 接地 、 静电屏蔽 、 离子中和 。 99、各代电子组装工艺中的技术： 手工装联焊接 技术、 通孔插装 技术、 表面组装 技术、 微组装 技术。 1904年，弗莱明发明了第一只 电子二极管(真空二极管) 标志着世界从此进入了电子时代。 1947年，Bell实验室肖克利发明第一只 晶体管(点接触三极管) 。 1958年，TI基尔比研制成功第一块 数字IC ，宣布电子工业进入了集成电路时代。 99、皮肤干燥时，人体电阻可呈现 100kΩ 以上，一旦潮湿，电阻可降到 1kΩ 一下。 99、下列触电原因中从左到右依次对应的是 双极 触电、 单极 触电、 跨步 触电。 99、下列英文缩写名词对应的中文，ASIC： 专用集成电路 ，FPGA： 现场可编程逻辑门阵列 ，SoC： 片上系统 ，DFM： 可制造性设计 ，DFX： 最优化设计 。 99、CPLD/FPGA芯片设计流程： 设计输入 、 设计编译 、 综合优化 、 仿真校验 、测试下载 。 99、列举三个敏感电阻： 光敏电阻 、 热敏电阻 、 压敏电阻 。 99、电感品质因数Q越高，损耗功率越大，电路效率越高。 下列logo代表什么 A： B：