工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤分布.pdfVIP

学兔兔 第49卷第3期 机 械 工 程 学 报 Vo1．49 NO．3 2013年 2月 JOURNAL0FMECHANICALENGINEERING Feb． 2Ol3 DoI：10．3901／JME．2013．O3．088 工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤分布水 高 尚 康仁科 董志刚 郭东明 (大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 大连 116024) 摘要：集成电路制造过程中，基于工件旋转磨削原理的超精密磨削技术是硅片平整化加工和图形硅片背面减薄的重要加工方 法，但磨削加工不可避免会在硅片的表面／亚表面产生损伤，研究磨削硅片的亚表面损伤分布对于分析硅片发生弯曲或翘曲 变形的原因，确定后续工艺的材料去除厚度都具有重要的指导意义。采用角度截面显微观测法研究工件旋转法磨削硅片的亚 表面损伤深度沿晶向和径向的变化规律及光磨对磨削硅片的亚表面损伤分布的影响。结果表明，无光磨条件下磨削硅片的亚 表面损伤深度在整个硅片表面分布不均匀，亚表面损伤深度沿周向在110晶向处大于100晶向，沿径向从中心到边缘逐 渐增大；光磨条件下磨削硅片的亚表面损伤深度在整个硅片表面几乎是均匀的，且光磨后的硅片亚表面损伤深度明显小于无 光磨条件下硅片亚表面损伤深度。 关键词：硅片 磨削 亚表面损伤 金刚石砂轮 中图分类号：TN305 0786 SubsurfaceDamageDistributioninSiliconWafersGroundwithW afer RotationGrindingM ethod GAO Shang KANGRenke DONG Zhigang GUO Dongming (KeyLaboratoryforPrecisionandNon—traditionalMachiningTechnologyofMinistryofEducation， DalianUniversityofTechnoloyg,Dalian116024) Abstract：During theintegratedcircuitmanufacturingprocess．ultra-precisiongrindingbasedOfftheprincipleof、vaferrotation grinding isan impo~antmethodin flatteningofsiliconwafersand inback-thinningofthe completed devicewafers，butthe surface／subsurfacedamageisgeneratedinevitablyingroundsiliconwafers．Thesubsurfacedamagedistributioninrgoundsilicon wafbrhasrgeatsignificnaceinanalyzingthereasonofwafbrbow ／warpanddetermininghtewafbrremovalhticknessofsubsequent process．Usingthenaglecross—sectionmicrosc0p htesubsurfacedamagedistributionsindifferentcrysatlorientationsandradial locationsofsiliconwafersgroundwithwafbrrotationgrindingmehtodareinvestigated．n