BSIM3v3模型关键参数提取的研究.pdf

25 卷 第 7 期 微 电 子 学 与 计 算 机 Vol. 25 No. 7 2008 年 7 月 M ICROELECTRONICS COM PUTER July 2008 BSIM 3v3 模型关键参数提取的研究 李盛峰, 李 斌, 郑学仁 ( 华南理工大学 微电子研 究所, 广东 广州 510640) 摘 要: BSIM 3v3 是现在业界普 遍使用的 M OSFET 模型, 用 它仿真电路能够得 到准确的结果, 但这个复杂的 模型 给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难. 为得到更为 准确的关键 参数, 对用 HSPICE 从 BSIM 3v 3 模型提 取 关键参数的方 法进行了改进, 并以一个运放设计为例 进行比 较, 该 方法提 取的关 键参数 的手算结 果比其 他方法 更 接近仿真结果. 关键词: M OSFET ; BSIM 3v3; 参数提取; HSP ICE; 运放 中图分类号: T N 402 文献标识码: A 文章编号: 1000- 7180( 2008) 07- 0116- 03 Study of Key Parameter Extractions from BSIM3v3 LI Shengfeng, LI Bin, ZHENG Xueren ( M icroelectronic Institute, South China U niv ersity of T echnology, Guangzhou 510640, China) Abstract: BSIM 3v3 is the most common used model base on CM OS techno logy. It is an accurate model for circuit simula tion, but it brings larg e trouble to the circuit designer in using this model for hand calculation. T his paper presents an im proved method to ex tract the key parameter from BSIM 3v 3 using HSPICE for more precision result. With an operation amplifier desig n as an ex ample, it is demonstrated that, compared to ot her methods, the proposed method fits more well w ith the simulation result. Key words: M O SF ET ; BSIM 3v3; parameter ext raction; HSPICE; OPamp 式中的关键参数包括: 阈值电压 V 、饱和区跨导 1 引言