RESURF原理应用于SOI_LDMOS晶体管.pdf

. . 第 17 卷第 4 期 半 导 体 学 报 V o l 1 7 , N o 4 . 1 9 9 6 年 4 月 C H IN E S E JO U R N A L O F S E M IC O N D U C T O R S A P r , 1 9 9 6 R E S U R F 原理 应 用于 5 0 1 L D M O S 晶体管 富力文 阎力大 (清华大学 微 电子学 研究所 北京 1。。。8 4) 摘要 本文 首次采 用解析方 法及二 维计算机 模拟 讨论 了 R E s u R F 原理 应用 于 5 0 1 L D M 0 s . 晶体 管 研究表 明 : 击 穿 电压随埋层 51 0 : 厚 度增加而 增加 ; 击穿 电压随 Si 层 厚度 变化 呈现 U 型 曲线 ; 当埋 层 51 0 : 和 si 层 厚 度一定 时 , si 层 的杂质浓 度存在一个 临界值 , 在此浓 度之下 , 可 . . 获得 高的击穿 电压 这个结论也适用 于 介质隔离的各种横 向器 件的击穿特性分析 E E A C C : 2 5 0 0 , 2 5 6 0 5 1 己卜会, 二 J . ‘二 一 由于 5 0 1 (si hco n 一 o n Ins ul at or ) 技术 提 供 了 良好 的 器件 隔 离 , 减 少 了 寄 生 效 应及 具 有 . 高 的抗辐 射能 力 , 使 5 0 1 器件 近 来有很 大发 展 川 为使 5 0 1 器 件有 更好 的 作用 , 提 高 5 0 1 器 . 件 的 击穿 电压 是个 重要 的研 究课题 R E SU R F (R E d u e e d S U r fa e e Fie ld ) 原 理 已 经成 功 地 用 , . 于普 通 的 L D M O S (L a t e r a l D o u ble 一 d iffu s e d M O S ) 晶体 管 大大地 提 高 了其击 穿 电压 仁2 〕 最 近 , M er ch an t 等 人闭 采用 漂 移 区杂 质 浓度 沿 横 向距 离 线性变化 , 从 而 提 高 L D M O S 的击 穿 , . 5 电压 显 然这 样 的杂 质分 布工 艺上 很难 控 制 H ua n g 和 B ali ga 等 人 ,[’ 〕提 出了两 种 结构 来 改 , 进 击 穿 电压 一 种是 在 埋 层 51 0 : 下面 加 一个 n+ 块 , 其 电特性 与漏 极相 连 , 这 种 结构 工 艺 困 难 , 而 且使 隔离 性能 变坏 ; 另一 种结 构是 在埋 层 51 0 : 上 面加 一薄 层 低 阻层