2010700413刘强六管存储单元单粒子瞬态效应模拟.docxVIP

湘潭大学毕业论文 题 目： 六管存储单元单粒子瞬态效应模拟 学 院： 材料与光电物理学院 专 业： 微 电 子 学 学 号： 2010700413 姓 名： 刘强 指导教师： 肖永光 老师 完成日期： 2014年5月20日  湘 潭 大 学 毕业论文（设计）任务书 论文（设计）题目： 六管存储单元单粒子瞬态效应模拟 学号： 2010700413 姓名： 刘 强 专业： 微 电 子 学 指导教师： 肖永光 老师 系主任： 唐明华 教授 一、主要内容及基本要求 主要内容： 了解单粒子效应，重点掌握单粒子瞬态效应机理。结合当前必威体育精装版研究趋势分析在航天辐射环境下，研究单粒子效应的重要性。可以建模并模拟90 nmNMOS二维器件。能够对已建模并校对好的NMOS器件进行不同情况下的单粒子瞬态效应仿真与 分析等相关研究。运用电路级-器件级混合仿真来模拟六管存储单元的翻转。提出一种合适的电路加固方法并对其进行研究、仿真。 基本要求： (1) 了解单粒子效应及研究单粒子效应的重要性； (2) 重点掌握单粒子瞬态效应的相关机理； (3) 掌握Sentaurus TCAD软件的基础使用方法； (4) 利用SDE软件建立90 nm NMOS的二维器件结构模型； (5) 利用SDevice模拟单粒子入射情况； (6) 构建六管存储单元的SPICE模型并对其瞬态效应进行仿真； (7) 提出一种对六管存储单元的加固方法并对其进行单粒子瞬态效应仿真。 二、重点研究的问题 (1) 了解单粒子效应，掌握单粒子瞬态效应的机理； (2) 建立90 nm NMOS二维模型和六管存储单元SPICE模型； (3) 对单个器件及六管存储单元进行单粒子入射模拟； (4) 提出一种加固方法，对其进行仿真并与普通六管存储器对比。  三、进度安排 序号各阶段完成的内容完成时间1查看文献02月20日～03月31日2学习软件联系编写程序03月15日～03月31日3建立单个NMOS器件模型04月01日～04月07日4对SPICE模型及加固模型进行仿真对比04月07日～04月25日5完成初稿04月26日～05月10日6补充及终稿05月11日～05月14日7答辩05月24日 四、应收集的资料及主要参考文献 [1] 刘必慰. 集成电路单粒子效应建模与加固方法研究 [D]. 博士论文, 湖南: 国防科学技术大学. 2009. [2] 刘征. 单粒子效应电路模拟方法研究 [D]. 硕士论文, 湖南: