第7章二极管及三极管资料.ppt

;第7章 半导体二极管和三极管;返回; 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。;7.1 半导体的导电特性;7.1.1 本征半导体;硅和锗的共价键结构;+4;本征半导体的导电机理;本征半导体的导电机理;7.1.2 N型半导体和P型半导体;前一页;杂质半导体的示意表示法; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;7.2 PN 结;;2. PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结的单向导电性;7.3 半导体二极管;7.3 半导体二极管;7.3.1 伏安特性;7.3.3 主要参数;二极管的单向导电性; 二极管电路分析举例 ;电路如图，求：UAB;两个二极管的阴极接在一起 求：UAB 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V 二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V 二极管截止，可看作开路 uo = ui;7.4 稳压二极管;3. 主要参数;光电二极管;发光二极管;7.5 半导体三极管;B;符号：;7.5.2 电流放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3. 三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动规律;ICE 与IBE 之比称为共发射极电流放大倍数;7.5.3 特性曲线; 实验线路;1. 输入特性;2. 输出特性;IC(mA );IC(mA ); 输出特性可划分为三个区，分别代表晶体 管的三种工作状态。;7.5.4 主要参数; 例： UCE=4.7 V时， IB=30?A, IC=1.48mA； IB=45 ?A, IC=2.2mA。;2. 集-基极反向饱和电流 ICBO;3. 集-射极穿透电流 ICEO;4. 集电极最大允许电流ICM;6. 集电极最大允许耗散功耗PCM;IC;晶体管参数与温度的关系