奈米中心低压化学气相沉积系统(LPCVD)考核记錄表.PDFVIP

奈米中心低压化学气相沉积系统(LPCVD)考核记錄表.PDF

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奈米中心低压化学气相沉积系统(LPCVD)考核记錄表.PDF

104.11.25 修訂 奈米中心低壓化學氣相沉積系統(LPCVD)考核記錄表 學校系所: 姓名: 學號: 考核日期: 一.筆試:填空題 25% 1.不可進入爐管之材料,請說明 。(5%) 2.LPCVD 容許最高溫度 ℃,升溫速率設定 ℃/分。(5%) 3.LPCVD 製程區分 種,分別使用氣體為 。(10%) 4.爐管程式設定共 組,每組共 步驟。(5%) 二.實作:75% 5.操作前檢查:水、電、氣、泵浦、洗滌塔是否正常運轉,操作記錄簿填寫及 操作標示牌等事項。(10%) 6.晶片準備(含晶片清洗)、晶舟取用、晶片放置等前置作業。(10%) 7.各項操作步驟(50%) A. A~D 爐製程選定。 B. 人機介面功能解說。 C. 製程參數選定及說明。 D. 溫度、壓力、氣體流量曲線及製程資料查詢 E. 實驗結束後復歸動作。 8.異常及狀況處置。(5%) 備註:(1)考核及格分數為80分。 (2)通過考核者請持學生證至機台管理者處登錄開卡後方得自行操作。 考試時間: : ~ : 評分 考核員簽名:

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