电工电子技术基础 教学课件 作者 申凤琴 第5章.pptVIP

;第一节 半导体二极管 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常用的半导体有硅、锗等。;ＰＮ结具有单向导电性;二、二极管的结构和符号;图5-2 常见外形图 ;三、二极管的伏安特性;;图5-3 二极管的伏安特性 ;四、二极管的主要参数;;～;稳压管的应用; 发光二极管是一种光发射器件，能把电能直接转换成光能的固体发光器件，它是由镓（Ga）、砷（As）、磷（P）等化合物制成的，其图形符号如图5-6a所示。由这些材料构成的ＰＮ结加上正偏电压时，PN结便以发光的形式来释放能量。 发光二极管的种类按发光的颜色可分为红、橙、黄、绿和红外光二极管等多种，按外形可分为方形、圆形等。图5-6b是发光二极管的外形，它的导通电压比普通二极管高。;图5-6 发光二极管的图形符号和外形;发光二极管的应用; 3．光敏二极管;图5-7 光敏二极管的图形符号和外形;光敏二极管的应用;4．变容二极管;图5-8 变容二极管的图形符号和特性;第二节 半导体三极管;图5-9 晶体管的结构和图形符号;2 ．外形;1．晶体管的工作电压;图5-12 晶体管电流的实验电路 ;4.05;3．晶体管的电流放大作用;三、晶体管的特性曲线 ;;图5-14 输出特性曲线 ;四、晶体管的主要参数;2．极间反向电流 ;图5-15 极间反向电流的测量电路;3．极限参数;图5-16 晶体管的安全工作区 ;第三节 场效应管;一、绝缘栅场效应管的结构及符号;图5-17 N沟道增强型绝缘栅场效应管 a) 结构 b) 图形符号 ;图5-18 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管;二、绝缘栅场效应管的特性;图5-19 增强型NMOS管的特性曲线;（2）输出特性 图5-19b为某增强型NMOS管的输出特性曲线。;2．N沟道耗尽型MOS管特性;图5-20 耗尽型NMOS管特性;三、场效应管的主要参数;（6）漏极最大耗散功率 是管子允许的最大耗散功率，类似于半导体三极管中的 。 ;四、场效应管与晶体管的比较;第四节 特殊三极管简介;图5-21 复合管及其等效晶体管;二、光敏三极管;; 光耦合器又称光电耦合器，它是由发光源和受光器两部分组成。光电耦合器的典型电路如图5-23所示。 发光源：常用红外发光二极管，发光源引出的管脚为输入端。 受光器：常用光敏三极管、光敏晶阐管和光敏集成电路等，受光器引出的管脚为输出端。 原理：光电耦合器利用电－光－电两次转换的原理，通过光进行了输入端与输出端之间的耦合。;特点：光电耦合器输入输出之间具有很高的绝缘电阻，可以达到 Ω以上，输入与输出间能承受2kV以上的耐压，信号单向传输而无反馈影响。具有抗干扰能力强、响应速度快、工作可靠等优点。;图5-23 光耦合器的图形符号;; 图5-24 晶闸管的外型和符号;图5-25 晶闸管的内部芯片及等效电路;2．晶闸管的导通与关断条件; b） 图5-26 晶闸管的导通实验; c） 图5-26 晶闸管的导通实验;实验总结：;3．晶闸管的工作原理;图5-27 晶闸管的工作原理 ;二、晶闸管的伏安特性;图5-28 晶闸管的伏安特性;三、晶闸管的主要参数;2．电流参数;3．门极参数; K P □ — □ □ ∣ ∣ ∣ ∟通态平均电压组别，（小于100A可不标） ∣ ∣ ∣ ∟额定电压等级（如100V为1级，700V为7级等） ∣ ∣ ∟ 额定电流系列 ∣ ∟表示普通型（K-快速型，S-双向型，N-逆导型） ∟ 表示晶闸管;1）选择晶闸管的额定电压、额定电流时，应留有足够的安全余量。 2）要有过电压、过电流保护措施。 3）严格按规定散热。 4) 严???用兆欧表检查晶闸管的绝缘情况。