电工电子技术基础 教学课件 作者 任雨民 第8章.pptVIP

第1章 半导体常用器件;8.1 半导体二极管;1. 本征半导体; Si;本征半导体的导电机理;2. 杂质半导体; 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。;;（1）PN结的形成;1.1.4 PN结的单向导电性;PN 结变宽;二极管的单向导电性;阴极引线;8.1.3 二极管的主要及参数特性; 主要参数;电路如图，求：UAB;8.1.4 普通二极管的识别与检测;2、二极管的检测 ?? 使用万用表测量二极管电阻的大小可以判断其管脚的正负极。 一般硅管正向电阻为几千欧，锗管正向电阻为几百欧；反向电阻为几百千欧。将万用表置于R×100或R×1k(Ω)档位（用R×1(Ω)档电流太大,用R×10k(Ω)档电压太高,两者都易损坏管子）， 将万用表的两只表笔分别接触二极管的两个电极，若测出的电阻约为几十、几百或几千欧，此时电阻值小，则黑表笔所接触的电极为二极管的正极??红表笔所接触的是二极管的负极。;8.1.5 特殊二极管及应用;8.2 二极管整流电路;2. 参数计算;5) 整流二极管的选择;8.2.2 稳压电路1.稳压管;8.2.2 稳压电路;5) 整流二极管的选择;1.3.2 滤波器; 8.2.3 滤波电路 1 电容滤波器;2. ? 形滤波器;8.3 半导体晶体管及特性;2、 三极管的电流放大作用;制造工艺上必须满足以下条件： （1）发射区掺杂浓度远大于基区、集电区的掺杂浓度，以便提供足够多的载流子“发射”。 （2）基区很薄，掺杂浓度很低，以减少载流子在基区的复合机会，这是三极管具有小电流控制大电流的关键。 （3）集电区比发射区体积大且 掺杂少，以便于形成集电极电流。 ;8.3.2 三极管的特性曲线 ;2. 输出特性;IB=0;8.3.3三极管的识别与检测;2)判定集电极c和发射极e 以NPN为例，先假定一极为c极，与基极通过;8.4 晶闸管的工作原理;2、晶闸管的工作原理