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一种新型优化热载流子退化效应的 SOI-LIGBT.pdf
Journal of Southeast University English Edition Vol.30 No.1 pp.17 21 Mar.2014 ISSN 1003—7985
Novel lateral insulated gate bipolar transistor on SOI substrate
for optimizing hot-carrier degradation
Huang Tingting Liu Siyang Sun Weifeng Zhang Chunwei
National ASIC System Engineering Research Center Southeast University Nanjing 210096 China
Abstract A novel lateral insulated gate bipolar transistor on a hot-carrier effect HCE becomes serious.So the hot-
silicon-on-insulator substrate SOI-LIGBT with a special carrier degradation of the SOI-LIGBT devices is one of
low-doped P-well structure is proposed.The P-well structure the most important reliability issues in ICs.
is added to attach the P-body under the channel so as to The HC reliability of the SOI-LIGBT devices is becom-
reduce the linear anode current degradation without additional ing more and more importan?? but the in-depth study on
process.The influence of the length and depth of the P-well the hot-carrier degradation mechanism of the SOI-LIGBT
on the hot-carrier HC reliability of the SOI-LIGBT is devices is less documented due to the complexity of its
. -
studied With the increase in the length of the P well the two kinds of carriers.Recently to our knowledge no
perpendicular electric field peak and the impact ionization peak
studies have been focused on the structure optimization of
diminish resulting in the reduction of the hot-carrier 6 8
these devices to decrease the hot-carrier degradation .
degradation. In addition the impact ionization will be
In this paper to reduce the electric field and the degra-
weakened with the increase in
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