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电力电子技术 作业：第二章总结 班级：XXXXXX学号：XXXXXXX姓名：XXXXXX 2016 第二章电力电子器件 总结 1.概述 不可控器件——电力二极管(Power Diode) GPD FRD SBD 半控型器件——晶闸管(Thyristor) FST TRIAC LTT 典型全控型器件 GTO GTR MOSFET IGBT 其他新型电力电子器件 MCT SIT SITH IGCT 功率集成电路与集成电力电子模块 HVIC SPIC IPM 1.1相关概念 主电路(Main Power Circuit):在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路? 电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件? 1.2特点 电功率大,一般都远大于处理信息的电子器件? 一般都工作在开关状态? 由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路(主要对控制信号进行放大)? 功率损耗大,工作时一般都需要安装散热器? 通态损耗,断态损耗,开关损耗(开通损耗 关断损耗) 开关频率较高时,可能成为器件功率损耗的主要因素? 电力电子器件在实际应用中的系统组成 一般是由控制电路?驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统? 关键词 电力电子系统 电气隔离 检测电路 保护电路 三个端子 1.3电力电子器件的分类 按能够被控制电路信号控制的程度不同可分为 半控型器件(开通可控,关断不可控) 全控型器件(开通,关断都可控) 不可控器件(开通,关断都不可控) 按照驱动信号的性质不同可分为 电流驱动型 电压驱动型 按照驱动信号的波形(电力二极管除外 )不同可分为 脉冲触发型 电平控制型 按照载流子参与导电的情况不同可分为 单极型器件(由一种载流子参与导电) 双极型器件 (由电子和空穴两种载流子参与导电)复合型器件 (由单极型器件和双极型器件集成混合而成,也称混合型器件) 关键词 控制的程度 驱动信号的性质?波形 载流子参与导电的情况 工作原理 基本特性 主要参数 2不可控器件——电力二极管(Power Diode) 2.1结构与工作原理 电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的? PN节(PN junction):采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结? N型半导体(N为Negative的字头,由于电子带负电荷而得此名):即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体? P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体? 正向电流IF :当PN结外加正向电压(正向偏置)时,在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流? 反向截止状态:当PN结外加反向电压时(反向偏置)时,反向偏置的PN结表现为高阻态,几乎没有电流流过的状态? 反向击穿:PN结具有一定的反向耐压能力,但当施加的反向电压过大,反向电流将会急剧增大,破坏PN结反向偏置为截止的工作状态?雪崩击穿 齐纳击穿(可以恢复) 热击穿(不可恢复) P-i-N结构 电导调制效应(Conductivity Modulation):当正向电流较小时,管压降随正向电流的上升而增加;当正向电流较大时,电阻率明显下降,电导率大大增加的现象? 关键词 少子 扩散运动 空间电荷区(耗尽层?阻挡区?势垒区) 结电容CJ:PN结中的电荷量随外加电压而变化,呈现电容效应?(微分电容) 扩散电容CD:扩散电容仅在正向偏置时起作用?正向电压较高时,扩散电容为结电容主要成分? 势垒电容CB:势垒电容只在外加电压变化时才起作用,外加电压频率越高,势垒电容作用越明显?在正向偏置时,当正向电压较低时,势垒电容为主? 作用:结电容影响PN结的工作频率,特别是在高速开关的状态下,可能使其单向导电性变差,甚至不能工作? 2.2基本特性 静态特性(伏安特性) 门槛电压UTO 正向电压降UF 反向漏电流是由少子引起的微小而数值定? 动态特性 结电容 零偏置,正向偏置,反向偏置 不能立即转换状态 过渡过程 正向偏置时 延迟时间:td=t1-t0 电流下降时间:tf = t2 - t1 反向恢复时间:trr = td + tf 恢复特性的软度:Sr = tf / td,或称恢复系数,Sr越大恢复特性越软? 由零偏置转换为正向偏置 过冲UFP : 原因:1)电导调制效应起作用所需的大量少子需要一定的时间来储存,在达到稳态导通之前管压降较大?2)正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降?电流上升率越大,UFP越