避免FM讯号灵敏度劣化(Desense)之防治措施__以MT6616平台为例.pdfVIP

由[1-3] 可知，对于数字讯号而言，会利用电阻来做阻抗匹配，而串联终端电阻 的位置，需靠近讯号起源处，然而可能因走线过长，导致其阻抗又有所偏移，因 此为保险起见，在靠近 I2S 跟 GPIO 处，均需添加 330 奥姆的串联终端电阻，确 保其阻抗不会偏掉，如下图[4] : 否则有可能会使波形有所失真，且辐射噪声变强，如下图[1-3] : 1 而不管是 Decoupling 电容，或是 Bypass 电容，其 GND Pad 都应该直接下 Main GND ， 而不要在表层走一段 GND Trace 后，再下 Main GND[1-3] 。 因为任何导线，都有其寄生电感，倘若采上图走法，多走的 GND Trace ，会增加 其 Decoupling 电容跟 Bypass 电容的寄生电感值，使其谐振频率往低频方向移动， 亦即其频率响应会与预期有所落差，导致稳压跟滤波的效果不如预期，如下图 [5] : 2 同时由[6-7] 可知，辐射场强的公式如下 : f 是频率，L 是其导体长度，r 是辐射源与 Receptor 的距离，IC 是电流强度。换 言之，多走的 GND Trace ，会使回路面积变大，以致于 EMI 辐射干扰变大。若不 得已需在表层走一段 GND Trace ，至少其 GND Via 需打多一点，因为由[1-3] 可知， 落地电容的目的，是要提供噪声一个低阻抗的路径，如下图: 3 而由[8] 可知，任何灌孔都有其等效电阻，而电阻是是越越并越越小，倘若 GND Via 打 得太少，则此时时表层 GND Trace 的阻抗抗不够低，亦即流到 Main GND 的噪声份量 会减少，而由[6-7] 可知，任何金属若没接地，就是是辐射体，且辐射效率与金属 的尺寸大小正相关，换换言之，若 GND Via 打得太少，且 GND Trace 的线宽又宽， 那么此时时的 GND Trace ，某种程度上，会是是有效的辐射体，将未流到 Main GND 的噪声，辐射出去，产生辐射干扰，如下图 : 且由前述可知，辐射干扰强度与导体长度有关，若 GND Trace 的长度越越长，那么 辐射干扰就会越越