第7章（新）.pptVIP

概　述;;一、用SSI和MSI构成数字系统存在的问题; 二、LSI的现状和前景 ; 近年来，随着电子设计自动化技术的发展，以及可编程逻辑器件的广泛应用，使电子电路设计方法和手段都得到了不断的改进和创新，也为大规模集成电路的应用开辟了新的途径。可以预见，大规模集成电路必将越来越广泛地应用于通信技术、计算机技术、自动控制技术等领域中，PLD的原理和应用是每个电子工程师必备的一门技术。大规模集成电路的制造技术和应用技术都得到了飞速发展，主要表现在以下几个方面。 ;（1）密度越来越高;从制造工艺分;四、 本章主要内容 1、存储器 掌握静态RAM(SRAM)的存储原理、 使用方法。 掌握各种ROM的工作原理、使用方法。 2、了解简单PLD的结构和编程原理，为以后学习复杂可编程逻辑器件打下基础。;存储器的分类 RAM 双极型 单极型 静态 动态 ROM ROM PROM EPROM E2PROM 闪速存储器:不能取代RAM;　　例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在 ROM 中的。计算机接通电源后，首先运行它，对计算机硬件系统进行自检和初始化，自检通过后，装入操作系统，计算机才能正常工作。;;一、ROM 的类型及其特点 ;1988年引入的闪存EEPROM满足了工程师对高密度、低成本、易于编程和擦除的存储器的要求。 闪存器件能够成块的进行电擦除,而不是逐字节擦除,并且不采用高电压,显著缩短了擦除时间。这种基于块的擦除方法使器件可以共享模块中的擦除电路,从而减小了管芯尺寸,降低了成本。80年代后期以来,闪存器件的密度成指数增长,供应商支持的存储容量高达8G字节。 目前2GB的flash闪存芯片正在大范围应用，而价格却不到100元，256M的芯片在MP3行业已失去身影，32G的芯片已可以量产。 ;闪存是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器， 数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。 闪存是电可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS、PDA、数码相机中保存资料等。 另一方面，闪存不像RAM一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。 ;ROM的用途：;二、ROM 的结构和工作原理 ;4 ? 4 存储矩阵结构示意图 ;2. 存储容量及其表示;3. 存储单元结构;(2) PROM 的存储单元结构 ;(3) 可擦除 PROM 的存储单元结构 ;刚才介绍了ROM中的存储距阵， 下面将学习ROM中的地址译码器。; 又称单译码编址方式或单地址寻址方式;A5;图7.2.2 二极管ROM的电路结构图;2. EPROM;写操作：在写入数据时，首先应找出要写入0的单元地址，并输入相应的地址码，使相应的字线输出高电平，然后在相应的位线上按规定加入高电压脉冲，使稳压管UZ导通，写入放大器AW的输出呈低电平、低内阻状态，相应存储单元的三极管饱和导通，有较大的脉冲电流流过熔丝，并将其熔断。;3 EPROM：采用浮栅型MOS器件作为存储单元的一个元件，需紫外线照射才能擦除，大概需要10——30分钟，可擦除上万次。 4 EEPROM：同样采用浮栅工艺，但可利用一定宽度电脉冲擦除。;三、集成 EPROM 举例 ;VCC; (二)由 CS、OE 和 VPP 的不同状态，确定　　　 2716 的下列 5 种工作方式 ;(3)编程方式：OE = 1，在 VPP 加入 25 V 编程电压，在地址 线上输入单元地址，数据线上输入要写入的 数据后，在 CS 端送入 50 ms 宽的编程正脉 　　　　　　 冲， 数据就被写入到由地址码确定的存储单 　　　　　　 元中。; 下面将根据二极管 ROM 的 结构图