模拟电路课件第1章.pptVIP

模拟电子技术;两种信号;“模电”与“数电”;这门课的特点;学习“过三关”;送给大家三句话;考试成绩评定; 1、黄丽亚 杨恒新编著. 模拟电子技术基础[M]. 北京：机械工业出版社,2009 2、电子电路教研室. 模拟电子电路B补充讲义(修订版) 南京邮电大学校内印刷, 2009;参考书;第一章 晶体二极管及其基本电路;硅原子（Silicon）;共 价 键;载流子(Carrier) 指半导体结构中获得运动能量的带电粒子。 绝对零度（-273OC）时晶体中无自由电子——相当于绝缘体。 有温度环境就有载流子——本征激发。 ;; 1、空穴的运动可以看成一个带正电荷的粒子的运动。 2、一个空穴的运动实际上是许多价电子作相反运动的结果。但是一个空穴运动所引起的电流的大小只与空穴的多少有关，与多少个价电子运动无关。;结论;+4;本征激发:一分为二，载流子浓度增加。;本征载流子浓度：;本征载流子浓度：;1-1-2 杂质半导体（掺杂半导体） ;一、N型半导体;一、N型半导体;一、N型半导体;;+4;+4;三、杂质半导体的载流子浓度;结论：在热平衡下，多子浓度值与少子浓度值的乘积恒等于本征载流子浓度值ni的平方。 ;对P型半导体，多子pp与少子np有 ; 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下:;小结;思考题与习题;1-2 PN结;+;动态平衡;问题：达到动态平衡时，在 PN结流过的总电流为多少，方向是什么？ ;半导体中的电流;对称PN结：如果P区和N区的掺杂浓度相同，则耗尽区相对界面对称，称为对称结;问题：为什么PN结伸向轻掺杂区？;P;PN结加正向电压;图1-10 反向偏置的PN结;PN结加反向电压; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 结论：PN结具有单向导电性。 ;三、PN结电流方程;i;PN结的温度特性;1.保持正向电流不变时，温度每升高1℃，结电 压减小约2~2.5mV，即;1-2-3 PN结的击穿特性 ;+;+;击穿种类;击穿的可逆性;1-2-4 PN结的电容特性;多子扩散?在对方区形成非平衡少子的浓度分布曲线?偏置电压变化?分布曲线变化?非平衡少子变化?电荷变化。;图1―12 P区少子浓度分布曲线 ;结电容Cj= CT + CD;1.3 ???导体二极管及其基本电路;1-3-1 二极管特性曲线;1.3.1 二极管的伏安特性曲线;一、直流电阻 ;一、直流电阻 ;二 、交流电阻;二 、交流电阻;例：已知D为Si二极管，流过D的直流电流ID=10mA，交流电压?U=10mV，求室温下流过D的交流电流?I=?;三、最大整流电流 I F;六、最高工作频率 f M;1.3.3 半导体二极管的电路模型;一、理想模型;二、恒压降模型;三、折线模型;一、二极管整流电路;图1-17 二极管半波整流电路及波形;ui;二、二极管限幅电路;图1.3.11 二极管限幅电路;图1-20 二极管上限幅电路及波形;三、二极管开关电路;1. 稳压二极管的正向特性、反向特性与普通二极管基本相同，区别仅在于反向击穿时，特性曲线更加陡峭。;图1-21 稳压二极管及其特性曲线;i/mA;所谓稳压指当Ui、RL变化时，UO保持恒定。;限流电阻R的选择： ;图1-22 稳压二极管稳压电路;图1-22 稳压二极管稳压电路;图1-22 稳压二极管稳压电路;Rmin R Rmax;小 结;1.6习题讲解;作 业