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模拟电路第四章场效应管放大电路
第四章 场效应管放大电路;4.1 结型场效应管;P;2. 工作原理;vGS 对沟道的影响：;(2) VDS 对 iD 的影响 设：vGSVP且不变;∵vGD=vGS-vDS
vDS ↑，vGD↓
当 vGD=VP时，
靠近D端两边的耗尽层
相接触—预夹断。
iD达到了最大值 IDSS。
此时：vDS=vGS-VP
;4-1-2 N沟道，JFET的特性曲线;2区 ：饱和区
（恒流区，线性放大区 ）
0≤ vGS Vp, vGDVp;4区：击穿区 vDS太大，致使栅漏PN结雪崩击穿，FET处于击穿状态.。场效应管一般不能工作在该区域内。;(2) 转移特性曲线 iD= f (vGS)|vDS= 常数;（3）主要参数;输出电阻： rd
输出电阻反映了vDS对 iD的影响，是输出特性上，静态工作点处切线斜率的倒数。
在饱和区内，iD随vDS改变很小，因此 rd 数值很大。
最大漏源电压：V(BR)DS
最大耗散功率： PDM;4.3 金属-氧化物-半导体场效应管;1、沟道形成原理
① vDS=0时，vGS 的作用;vGS加大，将吸引更多??电子到衬底表面，形成自由电子的薄层——反型层。
(表层的导电类型由原来P型转化为N型)
N型导电沟道形成。;② vGSVT且不变 , vDS对沟道的影响;vDS再↑， 使 vGDVT (vDSvGS-VT) 夹断点向左移动，沟道中形成高阻区，电压的增加全部降在高阻区，iD基本不变——恒流区。;3 、特性曲线;CMOS电路;4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET;4.3.3 场效应管比较;4.4 场效应管放大电路;3 分压式自偏压电路;例;4.4.2 FET的小信号模型分析法;应用小信号模型分析FET的放大电路;源极电阻上无并联电容:;共漏极放大器 (源极跟随器);输出电阻
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