模电课件第二章—1.pptVIP

第二章 双极型晶体管及其放大电路;Bipolar Junction Transistor 缩写 BJT 简称晶体管或三极管 双极型 器件 两种载流子（多子、少子）;c;图2.1.2 平面管结构剖面图;晶体管具有信号放大作用的条件;c区; （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。;I;c;非平衡载流子传输三步曲;二 电流分配关系;晶体管主要功能:;共基极;c;IC、 IE、 IB、三者关系：;2.2 晶体管的特性曲线;测量电路;图2.2.3 共射输出特性曲线;图2―5 共射输出特性曲线;图2―5 共射输出特性曲线;图2―5 共射输出特性曲线;图2―5 共射输出特性曲线;u;用交流电流放大倍数来描述：;u;基区宽度调制效应(厄尔利效应) ;基调效应表明：输出交流电阻rCE=ΔuCE/ΔiC∞;;饱和时，c、e间的电压称为饱和压降，记作UCE(sat)。;3. 截止区; 二、共发射极输入特性曲线;c;（1）0 UCE 1 时，随着 UCE 增加，曲线右移，特别在 0 UCE UCE (SAT), 即工作在饱和区时，移动量将更大一些。 ;2.2.3 温度对晶体管特性的影响;2-2-2 晶体管的主要参数;4.共基交流放大系数 ;二、反向饱和电流;② 管子C、E间反向饱和漏电流;② 管子B、E间反向饱和漏电流;三、极限参数; 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力。;β值与IC的关系;3、集电极最大允许功耗PCM;半导体三极管的型号;常用双极型晶体管的参数; 2.3 晶体管放大电路的放大原理; 符号规定; 2.3.2 静态工作点的作用;工作点偏低; 2.3.3 放大原理; 2.3.3 放大原理; 2.3.3 放大原理; 2.3.4 基本放大器的组成原则; 图2.3.4 阻容耦合共射极放大电路; 2.3.5 直流通路和交流通路; 图2.3.4 共射极放大电路;交流通道：输入信号作用下交流信号流经的通路。;练习：请画出下面电路的直流通路的交流通路。;直流通路;直流通路; 2.4.1 晶体管的直流模型及静态工作点的估算;a)截止状态模型；(b)放大状态模型；(c)饱和状态模型; (b)直流等效电路;故有; 2.4.2 静态工作点的图解分析法;IBQ、UBEQ一般不用图解法确定，而用估算法。 UBEQ=0.7（硅管）或0.3（锗管） ;二、ICQ、UCEQ的求解;例4 在图2―20(a)电路中，若RB=560kΩ, RC=3kΩ,UCC=12V，晶体管的输出特性曲线如图2―21(b)所示，试用图解法确定直流工作点。;图2―21放大器的直流图解分析;解: 取UBEQ=0.7V，由估算法可得;总 结; 例：放大电路如图所示，正常工作时静态工作点为Q。 (1)如工作点变为图(b)中的Q’和Q”，试分析是出电路中哪一元件参数改变而引起的? (2)如工作点变为图 (c)中的Q’和Q”，又是电路中哪一元件参数改变而引起的? ;; 解：(1)UCC不变．RB不变，IBQ不变，RC变化，工作点的变化可见(b)。若原工作点为Q， RC减小时，移至Q’，RC增加时，移至Q”。 (2) RC不变，负载线斜率不变，UCC和RB同时变化，工作点的变化如图(c)所示。若原工作点为Q，UCC增加，RB也增加，工作点可移至Q’，反之， UCC下降，RB也下降．工作点可移至Q”。; 2.4.3 晶体管工作状态的判断方法;2.判断晶体管是处于放大状态还是饱和状态：;∵ UBB - UBE(on) =IBQRB+(1+β)IBQRE;(c)饱和状态下的等效电路;例2 晶体管电路及其输入电压ui的波形如图2--12(a),(b)所示。已知β=50，试求ui分别在0V和3V时的输出电压uo。;当ui =3V时，晶体管发射结导通，且; 假设晶体管工作在放大区，则：;uo=UCEQ=UCE(sat)=0.3V。;补充例题1电路;1.先判断晶体管是否处于截止状态：;补充例题2电路;1.先判断晶体管是否处于截止状态：;∴晶体管不可能处于放大区，而应工作在饱和区；;2.4.4 放大状态下的直流偏置电路; 一、固定偏流电路;图2.4.7固定偏流电路;电流负反馈型偏置电路;若 ICQ↑;(a)电路;例2.4.3 电路如图2―15(a)所示。已知UCC=28V, RB1=90kΩ,RB2=10kΩ,RC=6.8Ω,RE=1.2kΩ，试β=60, β=150计算工