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;晶体二极管;晶体二极管的单向导电性;晶体二极管的单向导电性; 如图4-2a 所示，当开关S闭合时，指示灯发光，说明当晶体二极管正极接高电位，负极接低电位时，导电性能良好，电路中有电流流过，称为二极管“导通”状态。 ; 如图4-2b 所示，当开关S闭合时，指示灯不发光，说明当晶体二极管正极接低电位，负极接高电位时，导电性能极差，电路中无电流流过，称为二极管“截止”状态。 结论: 晶体二极管加一定的正向电压时导通，加反向电压时截止，这一导电特性，称为二极管的单向导电性。 ;二极管的伏安特性; 1. 正向特性 ⑴ 曲线起始阶段，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎没有），二极管呈现很大的电阻，处于截止状态，这一部分称为死区，相应的电压值称为门坎电压或死区电压：硅管约为0.5 V，锗管约为 0.2 V。 (2) 当正向电压超过门坎电压时，电流随电压的上升而急剧增大，二极管电阻变得很小，进入导通状态。正向电流IF与电压VF呈非线性关系，二极管两端正向压降近于定值，称为导通电压：硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。; 2. 反向特性 ⑴ 曲线起始阶段，二极管反向电流很小，而且在很大范围内不随反向电压的变化而变化，称为反向饱和电流（锗管大于硅管）。 (2) 当反向电压增加到一定数值时，反向电流急剧增加，称为反向电击穿，简称反向击穿，此时的电压称为反向击穿电压。 (3) 普通二极管反向击穿后，若不限制反向击穿电流，将由电击穿转变为热击穿烧毁PN结，造成二极管永久性损坏。;二极管的主要参数;晶体三极管;晶体三极管的结构与分类;晶体三极管的结构与分类;晶体管的电流放大作用; 2.晶体管的电流放大作用 ⑴ 晶体管电流分配关系：发射极电流等于集电极电流与基极电流之和，即 IE=IC+IB 由于基极电流很小，可认为发射极电流与集电极电流近似相等，即 IE≈IC; 2.晶体管的电流放大作用 (2)晶体管电流放大作用：当基极电流IB从0.01mA变为0.02mA时，集电极电流IC从0.56mA变为1.14mA，???者变化量之比为; 交流?: 直流?: 一般情况下，同一只晶体管的 比?略小，但二者很接近。工程中统一用 ? 表示，即 ;晶体管的工作状态; 2.饱和状态 晶体管处于饱和状态的条件是发射结正偏，集电结也正偏。如图4-10所示为NPN型晶体管饱和状态电流、电压示意图。此时晶体管的集电极电流IC不再随基极电流IB的增大而增大，IB已失去对IC的控制，不具有电流放大作用。晶体管饱和时的VCE值称为饱和压降，记作VCES，硅管约为0.3V，锗管约为0.1V。 电位值分布：VB VC VE; 3.截止状态 晶体管处于截止状态的条件是发射结反偏或两端电压为零。如图4-11所示为NPN型晶体管截止状态电流、电压示意图。处于截止状态的晶体管，各极电流IB、IC、IE都为零或极小，晶体管不具有电流放大作用。 电位值分布： VC VE VB;晶体管的主要参数