PN结二极管黄秋柳分解.pptVIP

PN结二极管;内容提要;一、PN结二极管概述;PN结的I-V特性; 根据理论分析：; PN结二极管的结构;(3) 平面型二极管;PN结二极管工作原理;二、二极管的特性;正向特性 当V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 ;反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。 ;二极管的温度特性;二极管的主要参数;（3）反向电流IR——在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。 硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(mA)级。 （4） 正向压降VD——在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。 小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。 （5）动态电阻rd——反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =△VD /△ID ;三、几种特殊的二极管;整流二极管;开关二极管;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数;稳压二极管的主要 参数;雪崩二极管;雪崩击穿与齐纳击穿;齐纳击穿：在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏共价键，将束缚电子分离，形成电子-空穴对，形成大的反向电流。 齐纳击穿需要的电场强度很大,只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大） ;变容二极管;PN结的其他应用;激光二极管;激光二极管结构及工作原理;发光二极管;太阳能电池;谢谢！