BJT和放大电路基础.pptVIP

基本要求： （1）掌握BJT输入及输出特性，了解其工作原理。 （2）掌握 BJT放大、饱和、截止三种工作状态条件及　　　特点。 （3）了解BJT主要参数。 （4）掌握放大电路组成原则、工作原理及基本分析方法。 （5）熟悉放大电路三种基本组态及特点。 （6）了解频率响应的概念。 第四章 双极结型三极管及放大电路基础 §4.1 双极结型三极管（BJT） §4.2 基本共射极放大电路 §4.3 放大电路的分析方法 §4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 §4.5 共集电极放大电路与共基极放大　　　　电路 §4.6 组合放大电路及多级放大电路 §4.7 放大电路的频率响应 主要内容： (The Bipolar Junction Transistor) 4.1.1 BJT的结构简介 一、分类： §4.1　双极结型三极管（BJT） 按频率：低频管和高频管 按功率：小功率管、中功率管和大功率管 按材料：硅管和锗管 按类型：NPN型、PNP型 二、结构及符号： 　 结构特点： • 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区， 且面积大； • 基区很薄，且掺杂浓度最低， 一般在几个微米至几十个微米 作 用 发射载流子 传送控制载流子 收集载流子 二、结构及符号 4. 1. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 二、内部载流子传输过程　（以NPN型为例） 动画 IB= IEP+IBN－ICBO IE = IC+ IB IE ＝ IEN+IEP IC ＝ ICN + ICBO 三、 ：　 １　以 IＥ为已知量： 其中：  共基极电流放大系数 电流分配关系 集电极-基极间反向饱和电流 说明：只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外在电压无关，其值小于1。 取值 =0.9---0.99 ２　以 IＢ为已知量： 由　 IE=IC+IB 　IC=  IE + ICBO ＝  （ IB ＋ IC ）＋ＩCBO 其中： 共射极电流放大系数 ICEO= ICBO /（1- ） =(1+  ) ICBO（穿透电流） 说明： 只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外在电压无关。  1 四. 三极管的三种基本组态 共集电极接法:集电极作为公共电极，用CC表示; 共 基 极 接法:基 极作为公共电极，用CB表示; 共发射极接法:发射极作为公共电极，用CE表示； 共射极电路特性曲线及共基极电路特性曲线。 一、共射极连接时特性曲线 (以NPN为例) 4.1.3　BJT的V－I特性曲线： 1. 输入特性 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 vBE  0.7V PNP型锗管 vBE  0.2 V 2. 输出特性 iB=0 20A 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 iC= iB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 （2）截止区 iB =0 以下区域为截止区，有 iC  0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 vCE VCC 饱和区 截止区 （3）饱和区 当vCE vBE时,饱和状态。 vCE 0 在饱和区，iB iC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏或零偏。 深度饱和时， 硅管vCES  0.3V， 锗管vCES  0.1V。 测量BJT三个电极对地电位如图所示， 试判断BJT的工作区域 ？ 放大区 截止区 饱和区 在三极管放大电路中，测得BJT各个电极对地电位如图所示，试判断BJT的类型、材料、电极。 (a) (b) (c) NPN硅管 PNP硅管 PNP锗管 E B C E C B C E B 4.1.4 主要参数 1、电流放大倍数 α、β 一般  = 0.90.99，  1 α、β只与管子的结构尺 寸和掺杂浓度有关，与外加 电压无关。 共发射极直流电流放大系数 4.1.4 主要参数 2、极间反向饱和电流 集电极基极间 反向饱