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第1章 常用半导体器件主要内容;导体:ρ小于10-3Ω·cm。;半导体的特性 掺杂特性：;1.1本征半导体 定义：;本征半导体的共价键结构 ;本征半导体中的两种载流子 价;本征半导体的载流子的浓度 ;1.2 杂质半导体 在本;掺杂后，某些位置上的硅原子被五;在N型半导体中，自由电子的浓度;掺杂后，某些位置上的硅原子被三;在P型半导体中，空穴是多子，自;浓度差，于是P区空穴向N区扩散;另一方面，随着扩散运动的进行，;空间电荷区也称耗尽层，即在空间;PN结形成过程总结;（2）PN结的单向导电性 ;PN结加反向电压 PN结;流过PN结的反向电流称为反向饱;无标题;二极管将PN结封装，引出两个电;将PN结用外壳封装起来，并加上;点接触型：结面积小，电容小，适;在近似分析时，用PN结的电流方;击穿电压U(BR);正向特性：实测二极管的伏安特性;温度对二极管伏安特性的影响;（3）二极管的主要参数 （1;（4）最高工作频率fM ;（5） 稳压二极管 稳压;稳压管的伏安特性;稳压管的主要参数 稳定电;（6）其它类型二极管发光二极管;发光类型：可见光：红、黄、绿显;光电二极管：光电二极管是远红外;光电二极管符号和特性符号特性u;例：限幅电路中VD二极管的正向;3. 双极型晶体管(BJT) ;晶体三极管中有两种不同的载流子;1.3.1 晶体管的结构及类型;图 1.3.2(b) 三极管结;集电区集电结基区发射结发射区集;1.3.2 晶体管的电流放大作;三极管内部结构要求：NNPeb;晶体管的结构多子浓度高多子浓度;（2）晶体管的电流放大作用 ;要实现三极管的电流放大作用，首;一 、晶体管内部载流子的流动 ;电流分配： IE＝IB＋;小结： 三极管三个电极;（3）晶体管的共射特性曲线（N;基本共射放大电路 输入;三、晶体管的共射输入特性和输出;特点： ;二、 输出特性曲线 三;输出回路 基;2. 输出特性对应于一个IB就;晶体管的三个工作区域 ;1）截止区 发射结和集电;2）放大区 发射极正偏，;3）饱和区 发射极与;（4）晶体管的主要参数 ;共基直流电流放大系数 ;二、交流参数 共射交流电流;三、极限参数 最大集电极耗散;最大集电极电流ICM 使β;五、主要参数 直流???数： ;（5）温度对晶体管特性及参数的;三、温度对输出特性的影响 当;三极管工作状态的判断[例1]：;例[3]：测得工作在放大电路中;（6）光电三极管 原理：用光
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