第九章金属化工艺探讨.pptVIP

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2017-04-19 发布于湖北
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第九章金属化工艺探讨.ppt

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第九章金属化工艺 ——接触与互连;(1) 欧姆接触：具有线性和对称的V-I特性，且接触电阻很小；;金属的功函数 ——φm 电子亲和势 —— Xs;二.形成欧姆接触的方法;1、低势垒欧姆接触;2、高复合欧姆接触;3、高掺杂欧姆接触;测量接触电阻用样品图形;三、集成电路对互连金属的基本要求;常用的金属化材料;2) 铝互连线存在的问题;■ 解决方法：;B、应力引起的空洞效应;C、铝对硅和二氧化硅的作用;解决方法;D、引线爬台阶问题;3) 合金化处理;2、重掺杂多晶硅;四、多层金属布线;1、平坦化工艺;2、钨插塞多层金属布线工艺;;■ 互连延迟严重影响电路的速度 ■ 采用Cu代替Al;Cu 互连;Al作为一种重要的接触与互连材料有何优缺点？