可控硅原理--检测--击穿分析.docxVIP

可控硅击穿原因：RC电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收（平波作用），RC时间常数应和尖峰脉冲上升沿时间一致，并且要注意电容的高频响应，应使用高频特性好的。压敏电阻本身有反应时间，该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽度，而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性，实际的和标识的值有一定的误差。击穿的可能性好多种,过电流,过电压.短路,散热不好都会被击穿.RC电路或压敏电阻只是吸收尖峰脉冲电压.和涌浪电压用的有条件.可以增大双向可控硅容量，这能有效减少以上的问题,如果是短路就要查明短路原因二、问题例子：最初使用MOC3061+BT131控制电磁阀，BT131击穿很多；后来将BT131更换成BT136虽然有多改善，但还是偶尔有击穿。电路图如下实际电路中R56没焊，R55为330欧姆。电路有RC吸收、压敏电阻保护电路，负载为电磁阀，负载电流最多不超过100mA，按说1A的BT131就已经足够了，但使用4A的BT136还偶尔会坏，是可控硅质量问题，还是我的电路参数有问题？另外，有谁知道可控硅的门极触发电流是怎么计算得来的？在之前的BT131电路中R55、R56的阻值是330欧姆，后来的BT136电路中去掉了R56、R55的阻值还是330欧姆。是不是这个值太小了，触发电流太大引起的损坏？关于电路图做一下补充：1.电阻R68实际用的是75欧姆2.电容C11用的是103 630V（0.01u）3.压敏电阻R75用的是471V的回答一：对双向可控硅驱动，技术已十分成熟了。对感性负载，驱动电路不要这样接，有经典的参考电路，请参考相应的资料。我认为该处应该用ＣＢＢ电容(聚丙烯电容（CBB）)，其特性有利于浪涌的吸收。如果受体积限制，类似的电路我也这样用。ＣＢＢ电容回答二：照这个图来做，烧了可控硅那就是你的质量太差了！此电路我用了3年，现在还在用。左边的电路为恒流，输入5-30V都不会烧坏光耦。R3一定要用20-50欧以内的电阻，不可以用上百欧的！！！！！否则可控硅无法完全导通，一直处于调压状态，很容易发热甚至损坏！！！回答三：回答四：其实有一点大家可能都没有注意，就是可控硅的尾缀问题，TW的才是更适合电机类使用的器件！仔细查一下手册看看吧！三、可控硅检测：注：本文中所使用的万用表为指针式，若换为数字式，注意红黑表笔极性正好相反1、判断引脚极性方法一：　　由双向可控硅的内部结构可知，控制极G与主电极A1之间是由—块P型半导体连接的，两电极间的电阻（体电阻）为几十欧姆，根据公特点就可以方便地判断出各电极来。　　先确定主电极A2：将万用表置在R×10档，用黑表笔接住任—电极，再用红表笔去接另外任一电极，如果头指示为几十欧姆电阻，就说的两表笔所接电极为控制极G和主电极A1，那么余下的电极便是主电极A2；如果指针不动，仍停在∞处，应及时调整表笔所接电极，直到测出电阻值为几十欧姆的两电极，从而确定主电极A2为止。　　再区分控制极G和主电极?A1：现假定两电极中任一为主电极A1，则另一个就为为控制极G，万用表置于R×10挡，用黑表笔接主电极A2（已确定），再用红表笔去接假定的主电极主“A1”，并用红表笔笔尖碰一下G后再离开，如果表针发生偏转，指示在几或几十欧姆上，就说明假定的主电极T1”为真正的主电极T1，而另一电极也为真正的控制极G；如果表针没有偏转，说明假定是错的，应重新假定A1和G，即让黑表笔仍接A2，而将红表笔接新“A1”，如果判别结呆同上，即对区分出控制极G和主电极A1。方法二：　　先确定主电极A2：将万用表置于R×1k档，现假定双向可控硅任意一个脚为主电极“A2”，并用黑表笔接“A2”，再用红表笔去分别触碰另外两个电极，如果指针没有偏转，指示在∞处，就说朋黑表笔所接为主电极A2，这是因为主电极A2与A1和G之间有多个正反相的PN结，它们之间的电阻是很大的；如果红完笔触碰其中的—个电极时指针不偏转，而触碰另一个电极时发生了偏转，说明原来的假定是错的，应重新假定A2，再按上述方法测试判断，直至找到真正的T2为止。　　找到A2后，剩下的两个电极就是G和A1，由于设计上的需要以及内部结构特点决定，G和A1之间仍然存在正反向电阻特性，只是正反向电阻差别不是很大。将万用表置于R×10档，两表笔与G、A1相接，测试正反向电阻，以阻值小的那次为准，黑表笔接的电极为主电极A1，而红表笔接的电极为控制极G。?　　测试时请注意，在测量大功率向可控硅时，应尽是量使用低阻档，如不行还可象测试单向可控硅—样，在万用表表笔上串上一节或多节1.5V干电池，使测试更为可靠。2、判断好坏方法一：测量极间电阻法。将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆? 时，就说明双向可控硅是好的，可以使