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固体光致发光原理Optoele;晶体材料的研究目的固体发光的能;1.发光材料的形态晶体非晶纳米;理想晶体是由许多质点（包括原子;非晶：组成物质的原子或离子排列;颗粒尺度小于100nm的晶粒组;在合适的衬底上镀上发光材料，可;2.晶体结构 （1）空间点;2. 晶体结构 ② 格点、;2. 晶体结构 布拉维点阵;7个晶系和14种晶格（点阵）立;③ 晶体结构的周期性 ;光电子技术系光电工程专业*;*3. 晶体缺陷理想晶体——内;1）缺陷的分类 点缺陷线缺陷面;点缺陷的名称 根据点缺;点缺陷类型 ①热缺陷（本征缺陷;一、热缺陷的定义 ;按照离开平衡位置原子进入晶格内;外来原子进入主晶格（即原有晶体;③非化学计量结构缺陷（非整比化;晶体与掺杂对于多晶材料，首先要;固体发光机理 晶;激活发光与杂质在高温下，向基质;发光材料的构成基质：某种绝缘体;发光材料的构成主要有以下三种形;发光材料的要求 发光材料—;发光材料对激发能的吸收1、激发;2、激发能量大于材料带隙（ E;3、激发能量远大于材料带隙（ ;发光的实质;发光过程;稀土族元素能级图;*发光过程发光中心分立中心复合;光致发光过程及机理光致发光过程;光致发光光致发光是用光激发发光;光致发光过程及机理;荧光粉的光致发光过程 ;同基质晶格中的同一发光中心的发;能量传递过程是发光材料中极其重;1、S首先被激发进入激发态S*;光致发光过程-能量传递;半导体中的能量传递 光致发光过;晶体材料呈现一定规律的周期性，;紫外光能量可以直接被发光材料的;价 带导 带1234567A1;A1A2价带导带辐射普勒纳和威;应用之三：能带模型 解释余辉现;应用之四：能带模型 解释热释发;应用之四：能带模型 解释热释发;应用之四：能带模型 解释热释发;导带价带能隙 （禁带）我们先;半导体的光吸收和光导电现象 ;2. 非本征半导体的光吸收 ;这种降低压电能转变为光的方法是;3. 光导电现象 在晶体对;利用半导体的光导电效应，把光的;1、简述发光材料的构成和对发光
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