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4. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温度上升，所以PC 有限制。 PC?PCM § 1.4 场效应管(Field Effect Transistor,FET) 结型场效应管（JFET) 绝缘栅型（MOSFET) N沟道JFET P沟道JFET N沟道MOSFET P沟道MOSFET 增强型NMOS 耗尽型NMOS 增强型PMOS 耗尽型PMOS N 衬底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 导电沟道 1.4.1结型场效应管 一、结构 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理（以N沟道为例） UDS=0V时 PN结反偏，UGS 越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 ID UDS=0V时 UGS 越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当 UGS 较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 1.2.5 二极管的等效电路 1. 理想模型 理想二极管： （1）正向导通时死区电压和导通压降均为零，正向导通电流为无穷大。 （2）反向截至时，反向电流为零，反向击穿电压为无穷大。 2 开关等效模型 3 折线模型 4. 微变等效模型 iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 RL ui uo ui uo t t 1.2. 6 半导体二极管的应用 1.二极管整流电路 2. 限幅电路 3. 门电路 3.7 3 3 0.7 0 3 0.7 3 0 0.7 0 0 UO（V） UB（V） UA（V） 1 稳压二极管 U I IZmin IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 1.2.7 特殊二极管简介 2 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 3 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 1.3.1 三极管的结构、分类和符号 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 §1.3 晶体三极管 又称双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor BJT) 、半导体三极管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 1.3.2 三极管的电流放大作用 B E C N N P VBB RB VCC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 B E C N N P VBB RB VCC IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICN+ICBO?ICN IBE ICN 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。 IB=IBE-ICBO?IBE IB ICN与IBE之比称为电流放大倍数 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 1.3.3 三极管的共射特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB VCC VBB 实验线路 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.8V,锗管UBE?0.1~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1