模拟电子技术第1章习题及答案.docVIP

思考与习题1 1.1填空题 1.由于掺入的杂质不同，杂质半导体分为两类，一类是在Si或Ge的晶体中掺入正三价的硼，称为 P 型半导体，在其中 空穴 是多数载流子， 电子 是少数载流子；另一类是在Si或Ge中掺入正五价的磷，称为 N 型半导体，在其中 电子 是多数载流子， 空穴 是少数载流子。 2.PN结最重要的特性是___单向导电性_____________，它是一切半导体器件的基础。 3.二极管的PN结面积不同可分为点接触型和 面触 型； 点接触 型二极管适用于高频、小电流的场合， 面触 型二极管适用于低频、大电流的场合。 4.稳压二极管主要工作在_反向击穿_______区。在稳压时一定要在电路中加入 电阻 限流。 5.发光二极管（LED）的正向导通电压比普通二极管高，通常为 1.5-2.5V V，其反向击穿电压较低为 10 V，正常工作电流为 5-15mA mA. 6.光电二极管在电路中要加 反向 电压才能正常工作。 7.半导体中有 电子 和 空穴 两种载流子，在本征半导体中掺入三 价元素，可形成P型半导体。 8.本征半导体硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ；相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量相对来说一定越 少 。这样掺杂形成的半导体类型为 N型 。 9.PN结空间电荷区又称为 耗尽区 区，在平衡条件下，电性呈 中性 ，因为区内正负电荷所带的电量相等。P区侧应带 负电 ，N区一侧应带 正电 。空间电荷区的电场方向从 N区 指向 P区 。 10.PN结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。 11.二极管的单向导电性为：外加正向电压时 导通 ，外加反向电压时 截止 。 12.二极管的反向饱和电流值越小，则其 单向导电性 越好。 13.普通二极管工作时要避免工作于 反向击穿状态 ，而稳压管通常工作于 反向击穿状态 。 14.单相 整流电路 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。 15.直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括 电感滤波 、 复式滤波 等。 16.W7805的输出电压为 5 V，最大输出电流一般为 1.5 A。 17.发光二极管能将电信号转换成 光 信号，它工作时需要加 正向 偏置电压；光电二极管能将 光信号 转换成电信号，它工作时需要加 反向 偏置电压。 1.1 选择题 1.在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体 A．带正电 B.带负电 C.不带电 D.不能确定 2 。（ C ） A．本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体 3.PN结加正向电压时，其正向电流是由 的。（ A ） A．多数载流子扩散形成 B．多数载流子漂移形成 C．少数载流子扩散形成 D．少数载流子漂移形成 4.当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。（ C ） A．大于 变宽 B. 小于 变窄 C. 大于 变窄 D. 小于 变宽 5.从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时，处于正向导通状态。 A．0V电压 B．死区电压 C．反向击穿电压 D．正向压降 6.二极管的反向电阻（ B ）。 A．小 B．大 C．中等 D．为零 7.稳压管的稳压区是其工作在 。（ C ） A. 正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 8.在单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V，则每只整流二极管承受的最大反向电压为（　　） ??? A.10V B. V ??? C. V D.20V 9.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为( A ) A.24V B.18V C.9V D.28.2V 10.两个硅稳压管，Uz1 = 6V