电子技术-chapter8第8章半导体存储器和可编程逻辑器件试题.ppt

8.3.1 可编程只读存储器 1.一次编程性只读存储器（PROM） 厂家制造PROM时，使存储矩阵（“或”阵列）的所有存储单元的内容全为“1”（或“0”），用户可根据自己的需要自行确定存储单元的内容。 图8.3.3 由二极管和熔断丝构成的存储单元 熔断丝 位线 字线 存储“1” 存储“0” 图8.3.4 PROM的阵列图 A2 1 1 A1 1 A0 ≥1 D2 D1 ≥1 D0 ≥1 或阵列 与阵列 WO W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 固定“与” 阵列 可编程“或” 阵列 例1: 图8.3.5是用PROM构成的阶梯波信号发生器，输出电压u0的波形由P图。ROM存储的内容决定。今需生产图8.3.6所示阶梯波信号，试列出PROM的编码表并画出PROM的编程阵列。说明：图中电子开关由PROM位线电平控制，当D=1时，开关接基准电压-UR;当D=0时，开关接地。 解： (1)根据反相加法运算电路可得出阶梯波电压u0 u10 R R/2 u11 R/4 u12 R/8 u13 A0 D0 D1 A1 D2 A2 D3 A3 PROM 二 进 制 计 数 器 C –UR R R2 – + ∞ △ + + - u0 RD 电子开关 图8.3.5 用PROM构成阶梯波发生器 uO 1 0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 C 4UR 8UR 图8.3.6 阶梯波 uo C 0 1 2 3 4 5 6 7 A0 表23.3.1 PROM的编程表 9 10 11 12 8 A1 A2 A3 D0 D1 D2 D3 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 4UR 5UR 6UR 7UR 8UR 7UR 6UR 5UR 4UR 2UR 1UR 0 3UR (2)由电压u0的关系式及其波形列出PROM的编程表 1 1 1 1 m15 1 1 1 0 m14 1 1 0 1 m13 1 1 0 0 m12 1 0 1 1 m11 1 0 1 0 m10 1 0 0 1 m9 1 0 0 0 m8 0 1 1 1 m7 0 1 1 0 m6 0 1 0 1 m5 0 1 0 0 m4 0 0 1 1 m3 0 0 1 0 m2 0 0 0 1 m1 0 0 0 0 m0 A3 A2 A1 A0 D3 D2 D1 D0 地 址 译 码 器 图8.3.7 PROM 阵列图 (3)由 PROM编程表画出PROM的编程阵列图 例2: 试用PROM产生一组逻辑函数。 解： (1)由于PROM的地址译码器是固定的最小项“与”阵列，所以需将Y0~ Y2各式化为最小项形式。 (3)由Y0~ Y2最小项画出PROM的编程阵列图 图8.3.8用PROM 产生一组逻辑函数 固定“与” 阵列 A 1 1 B 1 C 1 D Y0 Y1 Y2 m2 m3 m6 m7 m10 m12 m13 m14 可编程“或” 阵列 2. 可改写型只读存储器(EPROM） PROM只能一次编程，而EPROM则可多次擦去并重新写入 新内容。 擦除方法：在EPROM器件外壳