IGBT的封装失效机理.docx

IGBT的封装失效机理概述IGBT是一种新型的电力电子器件，诞生于70年代后期，刚开始时因其自身的PNPN四层结构构成了一个寄生的晶闸管，容易产生闩锁现像（Latch-Up）。直到80年代通过将源区N+和P阱用金属层短路才基本消除闩锁现像，这才使得之实用化成为可能。由于它是一种复合型晶体管，既具备MOSFET的高速切换能力，又有晶闸管大电压，大电流的处理能力，在200V—6500V的电力电子领域有着非常广泛的应用，并开始占据原本由GTO统治的应用领域。我国IGBT的应用市场很快占到了世界市场的一半，然而，我国的IGBT芯片技术还不成熟，主要依赖于进口，这成了我国电力电子的软肋，也是我国科技中的薄弱点。在种类上，IGBT主要分为穿通型（Punch Through），非穿通型（Non Punch Through），以及场截止式（FieLd Stop）.相比于穿通和非穿通型IGBT，场截止IGBT 芯片更薄，导通损耗更低，；由于功率芯片工艺条件的限制，单个IGBT芯片面积很少超出2-3cm2，电流等级也不会超过150A。为应对大电流的需要，通常将多个IGBT芯片并联而成。同样将芯片串联而成可实现高的耐压能力。这样，IGBT模块应运而生。IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，最后用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。图1-1 IGBT模块内部结构从上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金属散热板（通常选用铜）三部分组成。DBC由三层材料构成，上下两层为金属层，中间层是绝缘陶瓷层。相比于陶瓷衬底，DBC的性能更胜一筹：它拥有更轻的重量，更好的导热性能，而且可靠性更好。IGBT的封装失效机理功率器件的可靠性是指在规定条件下，器件完成规定功能的能力，通常用使用寿命表示。由于半导体器件主要是用来实现电流的切换，会产生较大的功率损耗，因此，电力电子系统的热管理已成了设计中的重中之重。在电力电子器件的工作过程中，首先要应对的就是热问题，它包括稳态温度，温度循环，温度梯度，以及封装材料在工作温度下的匹配问题。由于IGBT采取了叠层封装技术，该技术不但提高了封装密度，同时也缩短了芯片之间导线的互联长度，从而提高了器件的运行速率。但也正因为采用了此结构，IGBT的可靠性受到了质疑。不难想象，IGBT模块封装级的失效主要发生在结合线的连接处，芯片焊接处，基片焊接处和基片等位置。在通常的功率循环或温度循环中，芯片，焊料层，基片，底板和封装外壳都会经历不同层度的温度及温度梯度。热膨胀系数(CTE,Coefficient of Thermal Expansion)是材料的一项重要性能指标，指的是在一定温度范围内温度每升高1度，线尺寸的增加量与其在0度时的长度的比值。图1-2是IGBT堆叠结构中常用材料的热膨胀系数，由于各自材料的热膨胀系数不同，在温度变化时不同材料之间的热应变不同，相互连接层之间的接合会产生因热应力疲劳损耗。因此，器件的热行为与模块封装的结构息息相关。调查表明，工作温度每上升10℃，由温度引起的失效率增加一倍。图1-2 IGBT模块常用材料的热膨胀系数图1-3标注了IGBT模块在工作过程中容易发生疲劳损耗的点，具体有： Weak area 2Weak area 3Weak area 1图1-3 IGBT模块中失效多发区铝接合导线的脱离IGBT内的铝接合导线的直径通常为300-500um,他们的化学成分因生产厂商而异. 然而，几乎在所有情况下，在纯铝中加入千分之一的合金，例如硅镁或硅镍合金，铝的硬度会大大提升因而抗腐蚀性得以控制。由于与长度的不成比例以及轻微依赖衬底的温度，接合线的电流容量会有所下降。最大的直流电流受限于导线自身的欧姆热效应带来的熔化。由于铝接合线是直接接在芯片或压力缓冲器上,会承受较大的温度变化,而IGBT模块是由不同热膨胀系数的材料构成,在工作期间,必然会有明显的热疲劳.这种疲劳会随着工作时间的推移,导线自身的欧姆效应变得越来越明显,最终在键合线根部产生裂痕。铝导线的重构在热循环测试中,热膨胀系数的不匹配会造成键合表面周期性的挤压和拉升作用,而这种作用远远超出材料本身的伸缩范围。在此情况下,压力会通过不同的方式释放出去,如扩散蠕动,颗粒滑行,错位等形式。铝的重塑会导致接触面有效面积的减少,从而导致方块电阻的增加。这也解释了为什么随着周期性测试,Vce也呈线性增加的趋势。焊料疲劳与焊料空隙芯片与衬底之间的焊料层因热膨胀系数的不同产生的裂痕会增加导线的接触电阻,电阻的增加会导致欧姆效应的增强,如此温度正反馈会使裂痕越演越烈，最终导致器件