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* 工作方式 读出 读出禁止 维持 编程 编程校验 编程禁止 CE 0 0 1 0 0 1 OE 0 1 × 1 0 × PGM 1 1 × 负脉冲 1 × A9 × × × × × × VPP +5V +5V +5V +21V +21V +21V DO7~DO0 输出 高阻 高阻 输入 输出 高阻 2764功能表 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 3.3.4 电可擦除可编程只读ROM(E2PROM) 采用加电方法在线进行以字节为单位擦除和编程,也可多次擦写。内设编程所需高压脉冲产生电路,可在线写入,但写入时间较长(10ms)。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 微机原理及应用 第三章存储器 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 第3章 半导体存储器 3.1 存储器概述 3.2 随机存取存储器(RAM) 3.3 只读存储器(ROM) 3.4 存储器与CPU的连接 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 内存 储器 (半 导体 存储 器) 读写 存储 器RAM 只读 存储 器ROM 静态RAM(SRAM):存取时间为几十纳秒,集成度比较高,每片容量为几KB到几十KB 动态RAM(DRAM):集成度特别高,每片容量为几十MB 掩模式ROM:厂家做好后只能读取信息,不能修改 可编程PROM:用户可以对其进行一次性写入,一旦写入不能修改 可擦写EPROM:用紫外线擦除存储内容,擦除后可以重新写入 电擦写E2PROM:用电的方法擦除 3.1 存储器概述 3.1.1存储器的分类 存储器 外存 储器 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 3.1.2半导体存储器的结构 存储单元的选择 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 在内存空间比较大的体系中,由于内存单元较多,即所需存储器芯片较多,往往采用模块化结构。,每个模块由存储接口和存储器芯片组成。同一模块中的存储器芯片可以有若干组,比如,256KB的模块由64组来组成,每一组内有8个4K*1bit的芯片,它组成一个存储矩阵。同一组中的几个芯片总是同时被选中或未被选中,所以它们的片选输入端总是连在一起的。当片选信号有效时,被选中的存储器芯片组就可按8位(1字节)被读出或写入。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 存储容量:指能存储的二进制的位数,以bit为单位 存储容量=存储单元数*位数 8086的存储容量为1MB=1M*8bit 存储速度: 存取时间Ta:存储器从接收、寻找存储单元的地址码开始到它取出或存入数据为止所需要的时间,是启动一次读出或写入到操作完成所需的时间。 存储周期Tmc:指连续启动两次独立的读或写操作所需的最小时间间隔。存储周期略大于存取时间。 3.1.3内存储器的性能指标 Evaluation on
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