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纳米SiO2CeO2复合磨粒的制备及其抛光特性研究
第 28 卷 第 2 期 摩 擦 学 学 报 Vo l 28, No 2 2008 年 3月 TR IBOLO GY M arch, 2008 纳米 S iO2 / CeO2 复合磨粒的制备 及其抛光特性研究 肖保其 1, 2 , 雷 红1 ( 1. 上海大学 纳米中心, 上海 200444; 2. 上海大学 环境与化学工程学院, 上海 200444) ( ) ( ) ( ) 摘要 : 以尿素 [ CO NH2 2 ] 、NH4 2 Ce NO3 6 和 SiO2 为原料 ,采用均相沉淀法制备 1种新型纳米 SiO2 /CeO2 复合磨 粒 ,通过 X射线衍射仪 、X射线光电子能谱仪 、飞行时间二次离子质谱仪和扫描电子显微镜等分析手段对其结构进行 表征 ,并将 SiO2 /CeO2 复合磨粒配置成抛光液在数字光盘玻璃基片上进行化学机械抛光试验. 结果表明:所制备的 ( ) SiO2 /CeO2 复合磨粒的平均晶粒度为 19. 64 nm ,粒度分布均匀 ;经过 1 h抛光后 ,玻璃基片的平均表面粗糙度 R a 由 1. 644 nm 降至 0. 97 1 nm ;抛光后玻璃基片表面变得光滑 、平坦 ,表面微观起伏较小. ( ) 关键词 : 化学机械抛光 CM P ; 玻璃基片 ; 复合磨粒 中图分类号 : TH 117. 3 文献标识码 : A 文章编号 : (2008) 02 010305 ( ) 化学机械抛光 CM P 技术是 目前几乎唯一的 面微观缺陷明显改善. 但迄今 ,制备纳米 SiO2 / CeO2 全局平面化技术 [ 1 ] , CM P将超细粒子的机械研磨作 复合磨料并应用于抛光过程中的研究报道还不多 用与氧化剂的化学腐蚀作用有机地结合起来 ,对材 见. 为此 ,本文制备出 1种纳米 SiO2 / CeO2 复合磨料 料表面进行超精加工 ,可得到用其它任何平面化加 并研究其对玻璃基片的抛光特性. 工技术不能得到的光洁 、平整的表面形貌 [ 1, 2 ] . 1 实验部分 研磨料的制备是 CM P技术的关键之一 [ 3 ] ,并直 接影响 CM P 的抛光速率 、选择性以及对基片表面的 1. 1 纳米 S iO2 / C eO2 粉体制备 损伤等各项指标. 目前 , CM P 中使用的磨料一般为 采用均相沉淀法制备纳米 SiO2 / Ce
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