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* 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 JFET (N型沟道) VP(-) VDS(+) JFET (P型沟道) VP(+) VDS(-) 增强型MOSFET (N型沟道) 耗尽型MOSFET (N型沟道) 增强型MOSFET (P型沟道) 耗尽型MOSFET (P型沟道) VT(+) VDS(+) VP(-) VDS(+) VT(-) VDS(-) VP(+) VDS(-) P237 表5.5.1 注: 电流假定正向 为流进漏极。 各种场效应管 的特性比较 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 1. JFET小信号模型 (1)低频模型 (2)高频模型 VDS = VDD - ID (Rd + R ) VGS 2. JFET共源电路分析 (1)静态分析 分析过程与MOS管类似,先假设管子工作在饱和区,求出漏极电流、漏源电压,再看漏源电压是否满足假设条件。 (2)动态指标分析 中频小信号模型 1)中频电压增益 2)输入电阻 3)输出电阻 忽略 rds , 则 Rg3的作用? *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 不作教学要求,有兴趣者自学 5.5 各种放大器件电路性能比较 解: 例题 (1)第一级电路:自偏压电路 vGS = - iD (R1+R2) VGS由ID在源极电阻R1+R2上的压降供给 ——称自偏压 ∵g极不取电流,∴Rg上无压降, 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 思考: 增强型MOS管能用此电路吗? 例题 则电压增益为 由于 则 根据电路有 作业: P250 5.2.3 5.5.1 图题3.4.1 4.3.11 * *
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