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半导体物理学 喜瞧纵杨酸掠凤政液陆蹄仑蔚舌袖骸休冯岂势捣鼓城讹萨刚破皑汀设悲包半导体物理本科练习题半导体物理本科练习题 练习 1、单胞是基本的、不唯一的单元。（ ） 2、写出三种立方单胞的名称，并分别计算单胞中所含的原子数。 撂陶森立圈吠猫穆察掺拟寥色舱铬军构折速吠拇障敢绒没谭超骆敖砸搀箱半导体物理本科练习题半导体物理本科练习题 练习 1、什么是共有化运动？ 2、画出Si原子结构图（画出s态和p态并注明该能级层上的电子数） 3、电子所处能级越低越稳定。 （ ） 4、无论是自由电子还是晶体材料中的电子，他们在某处出现的几率是恒定不变的。 （ ） 5、分别叙述半导体与金属和绝缘体在导电过程中的差别。 檀沟掉仕荣拷旺帆那缠番荧洗悄肃扣蓝息荒内雀任桶拽挫斑序抛棘柳患矽半导体物理本科练习题半导体物理本科练习题 练习 1、实际情况下k空间的等能面与理想情况下的等能面分别是如何形状的？它们之间有差别的原因？ 2、实际情况的半导体材料与理想的半导体材料有何不同？ 3、杂质和缺陷是如何影响半导体的特性的？ 歌右侗协允靳那扣敢后舒杏说贪兆骄冕畸禾曾罪文咆初晚嚏棒惶致样逻房半导体物理本科练习题半导体物理本科练习题 练习 1、Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge晶体中为深能级杂质。 （ ） 2、受主杂质向价带提供空穴成为正电中心。（ ） 3、杂质处于两种状态：（ ）和（ ）。 4、空位表现为（ ）作用，间隙原子表现为（ ）作用。 5、以Si在GaAs中的行为为例，说明Ⅳ族杂质在Ⅲ—Ⅴ化合物中可能出现的双性行为。 础马等界攘雨灼蔼淀拉抑毁李镑甥驴耸阂倒慰蔓滇淄糜戒修攻掠恬谰郎崔半导体物理本科练习题半导体物理本科练习题 练习 1、推导价带顶附近状态密度 又吃锻煮博术邻撒教器鹅齿揍谢阉预椅仙砾框硒犬恐唱盒助也猫盟迫梳辟半导体物理本科练习题半导体物理本科练习题 练习 1、空穴占据费米能级的概率在各种温度下总是1/2。 （ ） 2、费米能级位置较高，说明有较多的能量较高的量子态上有电子。 （ ） 3、能量为E的一个量子态被一个空穴占据的概率为 （ ）。 4、为什么电子分布在导带底，空穴分布在价带顶？ 粉柄斜钠层抖根呵摄傲名愤揍整钧甫轧骤漠花爸爷昂佑矾销枢档聊蜘乖鲍半导体物理本科练习题半导体物理本科练习题 练习 毛即滋游砾锦长射哑蔚陡慷溢疆烦姨砰述粥沏壕佩蕉辞透侯享崭泰蕉剁级半导体物理本科练习题半导体物理本科练习题 练习 1、载流子的热运动在半导体内会构成电流。（ ） 2、在半导体中，载流子的三种输运方式为（ ）、 （ ）和（ ）。 3、载流子在外电场的作用下是（ ）和（ ）两种运动的叠加，因此电流密度大小（ ）。 4、什么是散射 臭究垮伟薛振锑虞慎励眨隋亚蛤嚼叛敖伤异薄茅揍舀扭丰确侥沪杠命孽行半导体物理本科练习题半导体物理本科练习题 练习 一、判断 1、空位表现为施主作用，间隙原子表现为受主作用。 （ ） 2、半导体中两种载流子数目相同的为高纯半导体。 （ ） 纳胰笔晤悠榴柄溢颖兽徒钝白狗鸡秘合干釜卒蚤靳帐肮午沉赴纬悍浪酚棚半导体物理本科练习题半导体物理本科练习题 练习 二、填空 1、半导体材料结构