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掺杂对材料光学性能的影响 演示文稿
缺陷对LiNb03光折变性能的影响
李莹
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铌酸锂晶体简介
铌酸锂晶体的结构
铌酸锂晶体的本征缺陷
铌酸锂晶体的非本征缺陷
光折变效应简介
LiNb03晶体的光折变效应的基本过程
掺铁铌酸锂晶体光折变性能的优化
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铌酸锂晶体简介
铌酸锂(LiNb03,LN)晶体是具有氧八面体结构的铁电体。它集压电、电光、声光、光学非线性和光折变等效应于一身,在光调制、光信息放大、光开关和光波导等众多方面有着广泛的应用,特别吸引人的是它在光全息存储领域的应用前景,是迄今人们所发现的光学性能最多、综合指标最好的人工晶体。四十多年来,人们对LiNb03晶体进行了大量的研究,主要集中在以下几个方面口:
(1)晶体生长、晶体结构及缺陷、掺杂离子在晶体中占位的研究;
(2)掺杂对LiNb03晶体性能的影响:
(3)LiNb03作为基片的光波导器件的研究
(4)LiNb03晶体的光折变性能及相关器件的研究
(5)掺杂稀土元素的LiNb03晶体的发光及相关器件的研究
(6) LiNb03晶体中聚边多畴的研
(7)不同[Li]/[Nbl比对LiNb03晶体性能影响的研究
(8)化学计量比LiNb03晶体的生长及性能研究
这些研究使得人们对LiNb03晶体有了较全面的了解,促使这种晶体得以实用化。
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铌酸锂晶体的结构
LiNb03晶体属三方晶系,其结构可视为由氧原子的畸变六角密堆积形成三种氧八面体,最小的八面体由Nb离子占据,体积居间八面体为Li离子群占据,而最大的八面体为空离子占据,而最大的八面体为空(用“口”表示)
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在高温状念的顺电相为 点
群,在低温的铁电相,其结构发生畸变,成为3m点群。
在LiNb03的晶体结构中,负离子
堆积成品格骨架, 形成平面层,沿c轴方向堆积,正离子“ 和 ”填充在骨架中。顺电相时,每个堆垛中氧八面体按下述顺序交替出现。一个中心有Nb的氧八面体,两个在其公共面上有Li的氧八面体。
在顺电相,Li和Nb分别位于氧平面和氧八面体中心,无自发极化。在铁电相,Li和Nb都发生了沿c轴的位移,前者离开了氧八面体的公共面,后者离开了氧八面体的中心,造成了沿c轴的电偶极矩,即出现了自发极化。
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铌酸锂晶体的本征缺陷
在通常情况下铌酸锂晶体都处于缺Li的状念,即Li/Nb1。造成这一现象的原因是: 和 具有几乎相同的离子半径(分别为0.68A和0.69A),且二者均被畸变的氧八面体包围,处于相似的品格环境中,但 — 键要比比 — 键强得多,所以LiNb03晶体的组分有偏离其化学计量比的趋势。
1.氧空位模型:由于锂的缺少,在铌酸锂品格中形成锂空位,同时形成相应数量的氧空位来实现电荷的补偿。
2. 铌空位模型:LiNb03晶体中不存在氧空位,由于锂缺少而造成的锂空位全部由铌填满,形成反位铌 ,电荷的平衡是在铌位形成相应数量的铌空位心 来实现的。
3.锂空位模型:同成分铌酸锂晶体中不存在氧空位,锂的缺少导致锂空位,为了保证晶体的电中性,一部分铌占据锂位来实现电荷的补偿,这时铌酸锂晶体的结构可写为
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铌酸锂晶体的非本征缺陷
因为LiNb03晶体具有氧八面体结构,该结构的特殊性使得LiNb03晶体几乎可以掺入所有的会属离子,按照人们预期的目标束调节,晶体的性能。对光学方面应用的LiNb03晶体掺杂方面的研究,主要是围绕以下几个方面展开:
掺入光折变敏感离子
掺入抗光折变杂质离子抗光折变离子
掺入稀土族元素
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