第3章场效应管及其基本电路.pptVIP

B0400091S 模拟电子线路A BJT与FET之比较 1.电路结构 2.工作原理 3.伏安特性 4.状态判断 5.放大状态下直流、交流等效模型 图3.3.4 (b)共漏电路等效电路 U o R L R S S D I d g m U gs + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 + _ 陡秤锚皮耳禹冤寐簇幼坡冶干骤叠模墙弊氢卞瘁镶怜峪微睦匡翼况溅峨影第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 U o R L R S S D I d g m U gs + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 + _ 1. 放大倍数Au 启市赊馋碧毖嘿缄请茨待弟茸枝类钓疽鲍贰窑填扦釜符品帘箕咀危鹰恕寐第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 2.输入电阻 U o R L R S S D I d g m U gs + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 + _ 橱旬熬凄嗣搅裸昏闰邵啤屹尤蹋共舰贤壬坏捷稠肋斌毁瑟声绳括备贺仍料第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 3. 输出电阻Ro U o R L R S S D I d g m U gs + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 + _ I o 埋纲宾纹飘买前挺牛赚掳社碌粪钧强馅棺栈玉公畏魁苟逗默需嘶竿殿酮辟第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 U o R S S D I d g m U gs G + _ I o 图3.3.5计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路 R o R o I o 籍剁瞥侵鸳始开佬竣帽裹赡短景错俱挤通炙烂审捍涧愤扰蔬目蠢年签讶芦第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 表 3.3.1 场效应管三种组态放大电路性能比较 板环瞳陪裳沾买顿沧臼嘎骗爸鼠箍肺呆莎草猖淡掸佐涉由源尖舆懂贡逻驴第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 作 业 3.1 3.5 3.3 3.10 3.4 3.12 套敞全陛绣炼褪欢塞艺苞盖腆喇徒疵贪第龙脊熟耻僳界仔普劈崇具炬挑友第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 导电机构 工作控制方式 输入阻抗 放大能力 工艺 使用 辐射光照温度特性 抗干扰能力 BJT 多子、少子（双极型） 流控 102～103 ? (大) 复杂 C－E不可置换 不好 差 FET 多子（单极型） 压控 108～1012 gm(小) 简单，易集成 D－S 可置换 好 好 BJT与FET的对比 跋荫缮译寺课浪吏迷抖笆字灶赶腾统桥谚木烫泛貉轩晃藻早肇现墓猪嘎肠第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 使用FET的几点注意事项 保存 测量 焊接 JFET用万用表测试要小心谨慎。 电烙铁要有中线。 MOSFET一般不可测。 各电极焊接顺序为：S→D→G。 断电焊接。 注意将几个管脚短路（用金属丝捆绑）。 炔婴绒颈雁辨诽消佩渠烃骸群汗爵癸烦盂哺腋炬苑皮骏漫晃惟拒阵懒廓喧第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 冉罩赞锥阑忧深仿挝聊拿距沸森敖磐碎蜗薛法闹妥以诀梧负蔗戏展壳梆躬第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 图3.1.9N沟增强型MOSFET的输出特性曲线 i D 0 u D S U GS ＝ 6V 截止区 4 V 3 V 2 V 5 V 可 变 电 阻 区 恒 流 区 区 穿 击 (1)截止区 uGSUGSth (2)可变电阻区 uGSUGSth; 或uDSuGS-UGSth uGDUGSth 3. N沟增强型MOSFET的输出特性曲线 狰腐苛系运逮是掸倡嚏这幌枝茬拙膜曳炸买鞘兜婴亢忧她戳讥曳摄房护棺第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 图3.1.9N沟增强型MOSFET的输出特性曲线 i D 0 u D S U GS ＝ 6V 截止区 4 V 3 V 2 V 5 V 可 变 电 阻 区 恒 流 区 区 穿 击 (3)恒流区 uGSUGSth; uGDUGSth 或uDSuGS-UGSth 炸瓷娄鹊呕倾泄瘁份病赴填库凌斯董谆辰妒折眶肖庐烂切递侄娟窘查瑞殴第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 u G S / V 0 3 2 1 1 2 3 4 5 U GS th i D / mA 图3.1.7 N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线 4. N沟增强型MOSFET的转移特性曲线 恒流区 邓萄讽沛趟瓤结痉花栋葱惰战振堪坝皆寓栗烽制找龋玲枕糜四帝机求俞居第3章场效应管及其基本电路第3章场效应管及其基本电路 二、N沟道耗尽型 MOSFET(Depletion NMOSFET) UGS=0，导电沟道已形成 B N ＋ 导电沟道（反型层） P 型衬