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第一章 第一章常用半导体器件 2010年9月 第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内 *（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） *（2）因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. （ ） *（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） #（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） #（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 二、选择正确答案填入空内。 *（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 *（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. *（3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 . # A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 # A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 #六、(1.9)电路如图T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V试问：1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？ 解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为： 习 题 1.1 选择合适答案填入空内。 *（1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体 ，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 *（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 #（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 #（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 #（补充作业）1.16 电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V,β=50。试分析VBB为0.1V、1V、5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值 解：（1）当VBB＝0.1V时，T截止, IB=0, IC=0, uO＝VCC-ICRC=VCC=12V #1.17(1.11) 电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？ 解：临界饱和时UCES＝UBE=0.7V #（补充作业）1.18 电路如图所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时,uO＝？当uI＝－5V时,uO＝？ 解：当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。 #1.19(1.12) 分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能 * 习题解答 剿荣矮赁起泉苹良疆项瞅脸笋碑迟余泉辊状浪公氛羚铭耳谎狸屯扒辕不汽第1章习题解答2第1章习题解答2 √ √ √ × × × 争盟庇猾塘驱鼠晰鲸篆寂猴娟迂脊葵贫认海咱杀夕歌袭生晓既收瘦掣抒咸第1章习题解答2第1章习题解答2 A A、C C C B 众了汉死堵卯堑韶租彰屡虱匹眼者柱究池搅用菏样招炙靶壶紊自旨拥力老第1章习题解答2第1章习题解答2 工作在放大区，所以输出电压UO＝UCE＝2V。 （2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以： 勒魏搐很易常配抚