无源无损缓冲电路及其新拓扑.doc

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无源无损缓冲电路及其新拓扑 李金鹏,侯聪玲,尹华杰 (华南理工大学电力学院雅达电源实验室,广东 广州 510640) ??? 摘? 要:在分析无源无损缓冲电路的拓扑分类和硬开关转换过程中开关损耗的基础上,总结了无源无损缓冲电路的结构原理和一般实现方法。重点介绍了其在DC/DC变换器中两种新颖的拓扑结构,并简要地分析了它们的工作原理和优缺点。 ??? 关键词:无源无损缓冲电路;DC/DC变换器;功率因数校正 1 概述 ??? 在硬开关电路中,有源开关器件连接在刚性的电压源或电流源上,开关损耗大、电磁干扰严重、可靠性低,且随着开关频率的提高,这种现象更为严重。为了克服这些缺陷,软开关技术被广泛采用。 ??? 有源缓冲电路、RCD缓冲电路、谐振变换器、无源无损缓冲电路是常用的软开关技术。其中,有源缓冲电路通过增添辅助开关以减少开关损耗,但这也增加了主电路和控制电路的复杂程度,从而增大了性价比,也降低了可靠性;RCD缓冲电路虽然结构最简单,价格最便宜,但由于电阻消耗了能量,效率较低,在各种软开关技术中性能最差;而谐振变换器虽然实现了ZVS或ZCS,减少了开关损耗,但谐振能量必须足够大,才能创造ZVS或ZCS条件,而且谐振电路中循环电流较大,还必须在特定的软开关控制器的控制信号下工作,增加了通态损耗、增加了成本、降低了可靠性。与这三种方法不同,无源无损缓冲电路既不使用有源器件,也不使用耗能元件,因而兼具以上三种方法的优点。其结构与RCD缓冲电路一样简单,效率与有源缓冲电路、谐振变换器一样高,电磁干扰小、造价低、性能好、可靠性高,因而获得了广泛的应用。 ??? 目前,无源无损缓冲技术虽已比较成熟,但在国内外仍不时有新的拓扑和研究成果发表。本文在参考了最近20多年中无源无损缓冲电路研究成果的基础上,总结了无源无损缓冲电路的结构原理和一般实现方法。此外,重点介绍了其在PWM DC/DC变换器中两种必威体育精装版的拓扑结构,分析了它们的工作原理,并比较了它们的优缺点。 2??? 拓扑分类 ??? 在过去的几十年里,出现了许多不同的无源无损缓冲电路的拓扑结构,它们可以用一套属性来描述[1]。为此,可划分为两类:一类是最小电压应力单元(MVS),如图1(a),图1(b)所示;另一类是非最小电压应力单元(Non-MVS),如图1(c),图1(d),图1(e),图1(f)所示。最小电压应力单元[2]仅使用一个电感和电容值较小的电容就能使主开关管电压应力最小,但实现软开关的范围不大;非最小电压应力单元[3]增加了一个电感,同时也增加了主开关管的电压应力,但与最小电压应力单元相比,在同样的电感和电容下,其软开关范围较大。而且,在小功率情况下,具有较高的效率。 (a) MVS??? (b) MVS (c)Non-MVS??? (d)Non-MVS (e)Non-MVS??? (f)Non-MVS 图 1??? 无 源 无 损 缓 冲 电 路 拓 扑 结 构 3 结构原理与实现方法 ??? 硬开关电路在开关时,存在3种损耗: ??? 1)开通时,由续流二极管的反向恢复电流引起的浪涌电流,会导致较大的导通损耗; ??? 2)开通时,MOSFET的寄生结电容放电会引起损耗; ??? 3)关断时,MOSFET的结电容电压的快速增加,会导致较大的关断损耗。 ??? 针对硬开关电路的上述损耗构成,一个基本的无源无损缓冲电路一般都包含3个功能电路: ??? 1)开通缓冲电路; ??? 2)关断缓冲电路; ??? 3)馈能电路。 ??? 常用的方法是用电感(L)与功率管串联,开通时电流只能从零增加,因而“零电流”使开通得到软化;用电容(C)与功率管并联,关断时功率管两端电压只能从零增大,因而“零电压”使关断得到软化;用二极管(D)经过一定的拓扑网络,在功率管开关过程中,将L,C中的存储能量反馈到电源或馈送给负载。根据变换器电路的不同,电容可直接并联于功率管,也可跨接于功率管输出与负载之间,或跨接于功率管输入端与电源正端之间。后两种跨接方式都要求功率管关断之前,电容C已充电到电源电压的大小。馈能电路常用的方法有:当要求一个电容的充电终了电压要大于电源电压时,则电源可通过电感给电容充电,如忽略损耗,充电终了电压将达到2倍电源电压;如一个充好电的电容,在工作中需要改变电压极性,则可通过串联一个电感实现振荡放电来完成;电感还可用于将一个电容的储能转移到另一个电容中去,当然这里还必须有二极管组成的电路配合;能量的存储或转移还可采用互感的方法等等。 ??? 无源无损缓冲电路的三功能电路结构特点,虽然无法象有源软开关方案那样,在超前或滞后主开关的控制时序下吸收能量或供给能量,以创造出真正的ZVS或ZCS条件,但它通过将开关期间的电压与电流波形错开,使二者的重叠面积最小,可以

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