【2017年整理】半导体所专业课大纲.docVIP

量子力学 覆盖范围：包括原子物理、量子力学的概念和基本原理、波函数和波动方程、一维定态问题、力学量算符对称性及守恒定律、中心力场、粒子在电磁场中的运动、自旋、定态微扰论、量子跃迁。 参考书目：《量子力学》第一卷曾瑾言，科学出版社第三版 固体物理 覆盖范围：晶体结构、晶体缺陷、晶体结合、晶体振动及热学性质、金属电子论、能带论、电导论。 半导体物理 考试内容 一、晶格结构和结合性质 §1.1晶体的结构 　晶格的周期性、金刚石结构、闪锌矿结构和钎锌矿结构 §1.2半导体的结合性质 　共价结合和离子结合、共价四面体结构、混合键 二、半导体中的电子状态 §2.1晶体中的能带 　原子能级和固体能带、晶体中的电子状态 §2.2晶体中电子的运动 §2.3导电电子和空穴 §2.4常见半导体的能带结构 §2.5杂质和缺陷能级 　施主能级和受主能级、n型半导体和p型半导体、类氢模型、深能级杂质、等电子杂质 三、电子和空穴的平衡统计分布 §3.1费米分布函数 §3.2载流子浓度对费米能级的依赖关系 　态密度、载流子浓度 §3.3本征载流子浓度 §3.4非本征载流子浓度 　杂质能级的占用几率、单一杂质能级情形、补偿情形 四、输运现象 §4.1电导和霍尔效应的分析 §4.2载流子的散射 §4.3电导的统计理论 五、过剩载流子 §5.1过剩载流子及其产生和复合 §5.2过剩载流子的扩散 　一维稳定扩散、爱因斯坦关系 §5.3过剩载流子的漂移和扩散 §5.7直接复合 §5.8间接复合 §5.9陷阱效应 六、pn结 §6.1 pn结及其伏安特性 §6.3 pn结的光生伏特效应 §6.4 pn结中的隧道效应 七、半导体表面层和MIS结构 §7.1表面感生电荷层 §7.2 MIS电容 　理想MIS结构的C-V特性、实际MIS结构的C-V特性、Si-SiO2系统中电荷的实验研究 八、金属半导体接触和异质结 §8.1金属－半导体接触 §8.2肖特基二极管的电流 　越过势垒的电流、两极管理论、扩散理论、隧穿电流和欧姆接触 §8.4异质结 §8.6半导体超晶格 参考书目：《半导体物理》上册，叶良修，高等教育出版社，1984年。 电子线路 本考试大纲是为了便于硕士入学考生对《电子线路》课程进行复习而制定。大纲提供了参考书目，考生也可以根据自己的实际情况选择合适的参考书。 第一部分 模拟电路 考试题型：选择题，填空题，分析计算题。 参考书：童诗白、华成英主编，模拟电子技术基础（第三版），高等教育出版社，2001年 总分：约75分 一、常用半导体器件 1．了解PN结的基本特性。了解晶体管，场效应管的基本特性。熟悉扩散，飘移，耗尽层，导电沟道等基本概念。熟悉晶体管，场效应管三个工作区域的条件。 2．熟练掌握二极管的微变等效电路，理想二极管等效模型。并能进行计算。 3．掌握稳压管的伏安特性和等效电路。掌握晶体管，场效应管的结构和符号表示。 二、基本放大电路 1．掌握晶体管，场效应管各种组态的放大电路。 2．掌握其静态工作点，动态参数的计算方法并准确画出其交直流等效电路。掌握掌握晶体管，场效应管放大电路的区别。 3．掌握放大电路主要性能指标：放大倍数，输入电阻，输出电阻，最大不失真输出电压，上下限截止频率。 4．掌握图解法分析失真情况，和h参数等效电路计算放大倍数，输入输出阻抗。 5．了解各种接法的放大电路在放大倍数，输入输出阻抗，带宽等性能上的特性。 三、多级放大电路 1．掌握多级放大电路的计算。尤其熟练掌握两级放大电路的交直流等效电路，两级放大电路的各种计算。 2．掌握直接耦合差分放大电路各项性能指标的计算。 3．理解互补输出电路的特点。 4．熟握共模抑制比，差模抑制比的概念及定义，及其在具体电路中的计算。 四、集成运算放大电路 1．了解集成运放的基本概念，符号。 2．掌握镜像电流源，比例电流源，微电流源的工作原理。 五、放大电路的频率响应 1．掌握晶体管，场效应管的高频等效模型。 2．掌握上限频率，下限频率，通频带，相位补偿等基本概念。 3．掌握波特图的绘制方法 4．掌握放大电路频响的计算分析方法。 六、放大电路中的反馈 1．掌握各种反馈电路组态的判断方法。掌握在深度负反馈条件下电压放大倍数，输入，输出阻抗的计算方法。 2．正确理解负反馈放大电路放大倍数在不同反馈组态下的物理意义。 3．掌握负反馈在改善电路性能方面的作用。并根据需要在放大电路中引入合适的负反馈。 4．掌握波特图分析产生自激振荡的方法。 5．掌握放大电路稳定裕度的计算方法。 七、信号的运算和处理 1．掌握理想运放构成加、减、乘、除等简单运算电路的方法。 2．掌握利用“虚短”和“虚断”的概念分析运算电路的方法。 3．掌握节电电流法，叠加原理分析各种运算电路的方法。根据需要选择合理的电路做设计。 4．掌握