第3章 变磁阻式传感器1幻灯片.pptVIP

第 3 章 变 磁 阻 式 传 感 器 2.铜损电阻Rc取决于导线材料及线圈的几何尺寸 3.涡流损耗电阻Rｅ? 由频率为ｆ的交变电流激励产生的交变磁场，会在线圈铁心中造成涡流及磁滞损耗。根据经典的涡流损耗计算公式知，为降低涡流损耗，叠片式铁心的片厚应薄；高电阻率有利于损耗的下降，而高磁导率却会使涡流损耗增加。 4.磁滞损耗电阻Rh铁磁物质在交变磁化时，磁分子来回翻转而要克服阻力，类似摩擦生热的能量损耗。 5.并联寄生电容C的影响并联寄生电容主要由线圈绕组的固有电容与电缆分布电容所构成。 由式(3-8)、(3-9)、(3-10)知，并联电容C的存在，使有效串联损耗电阻与有效电感均增加，有效Q值下降并引起电感的相对变化增加，即灵敏度提高。因此，从原理而言，按规定电缆校正好的仪器，如更换了电缆，则应重新校正或采用并联电容加以调整。实际使用中因大多数变磁阻式传感器工作在较低的激励频率下(ｆ≤10ｋHｚ)，上述影响常可忽略，但对于工作在较高激励频率下的传感器(如反射式涡流传感器)，上述影响必需引起充分重视。 将式(3-11) 代入式(3-1) ，可得: 图3.8?(ａ)谐振电路?(ｂ)谐振曲线 图3.9? 大位移自感式传感器工作原理 (ａ)电原理图；(ｂ)输出特性 1、使传感器输出特性在零点附近的范围内不灵敏(灵敏度下降)，限制着分辨力的提高。 （1 ）由于两个二次测量线圈的等效参数不对称，使其输出的基波感应电动势的幅值和相位不同，调整磁芯位置时，也不能达到幅值和相位同时相同。 （2 ）由于铁芯的B-H特性的非线性，产生高次谐波不同，不能互相抵消。 （3）励磁电压波形中含有高次谐波。 在初级串入一高阻值降压电阻R，或同时串入热敏电阻RT进行补偿。适当选择RT，可使温度变化时原边总电阻近似不变，从而使激励电流保持恒定。 电感式传感器主要用于测量位移与尺寸，也可测量能转换成位移变化的其他参数，如力、张力、压力、压差、振动、应变、转矩、流量、比重等。 ⑴位移与尺寸测量 ⑵压力测量 ⑶力和力矩测量 ⑷振动测量 位移、振动、厚度、转速、温度、硬度等参数，以及用于无损探伤领域。 如图3.25所示，有一通以交变电流的传感器线圈。由于电流的存在，线圈周围就产生一个交变磁场H1。若被测导体置于该磁场范围内，导体内便产生电涡流，也将产生一个新磁场H2，H2与H1方向相反，力图削弱原磁场H1,从而导致线圈的电感、阻抗和品质因数发生变化。这些参数变化与导体的几何形状、电导率、磁导率、线圈的几何参数、电流的频率以及线圈到被测导体间的距离有关。如果控制上述参数中一个参数改变，余者皆不变，就能构成测量该参数的传感器。 M随它们之间的距离x减小而增大。加在线圈两端的激励电压为:根据基尔霍夫定律，可列出电压平衡方程组 由此可求得线圈受金属导体涡流影响后的等效阻抗为 由式(3-39)～(3-41)可知，线圈-金属导体系统的阻抗、电感和品质因数都是该系统互感系数平方的函数。而互感系数又是距离x的非线性函数，因此当构成电涡流式位移传感器时，Z=f1(x)、L=f2(x)、Q=f3(x)都是非线性函数。但在一定范围内，可以将这些函数近似地用一线性函数来表示，于是在该范围内通过测量Z、L或Q的变化就可以线性地获得位移的变化。 三.电涡流式传感器的应用 1.测位移 电涡流式传感器的主要用途之一是可用来测量金属件的静态或动态位移，最大量程达数百毫米，分辨率为0.1%。目前电涡流位移传感器的分辨力最高已做到0.05μm(量程0～15μm)。凡是可转换为位移量的参数，都可用电涡流式传感器测量，如机器转轴的轴向窜动、金属材料的热膨胀系数、钢水液位、纱线张力、流体压力等。 2.测厚度 除前已介绍的低频透射式电涡流传感器外，高频反射式电涡流传感器也可用于厚度测量。后者测板厚时，金属板材厚度的变化相当于线圈与金属表面间距离的改变，根据输出电压的变化即可知线圈与金属表面间距离的变化，即板厚的变化。图3.31所示为此应用一例。为克服金属板移动过程中上下波动及带材不够平整的影响，常在板材上下两侧对称放置两个特性相同的传感器L1与L2。 由图可知，板厚d＝D－（x+x2）。工作时，两个传感器分别测得x和x2。板厚不变时，(x+x2)为常值；板厚改变时，代表板厚偏差的(x+x2)所反映的输出电压发生变化。测量不同厚度的板材时，可通过调节距离D来改变板厚设定值，并使偏差指示为零。这时，被测板厚即板厚设定值与偏差指示值的代数和。 除上述非接触式测板厚外，利用电涡流式传感器还可制成金属镀层厚度测量仪、接触式金属或非金属板厚测量仪。 微压力传感器 图4.22 差动变压器式加速度传感器原理图 差动变压器式加速度传感器:由悬